传三星提高下半年资本支出,扩产存储器

存储器 中国闪存市场 Helan 2009-07-17 13:33


    三星(Samsung)电子计划今年下半年,投入8000亿韩元(约7.9亿美元)资本支出,进行40纳米DRAM,以及30纳米NAND Flash的制程扩充。

  ETnews引述,三星电子半导体部门负责人Kwon Oh-hyu出席16日产业活动上的谈话表  示,三星下半年资本支出将略高于上半年,虽然近期存储器产业景气已有改善的讯号,不过尚未完全走出谷底,三星对于扩产的动作依然小心谨慎。

   此外,Kwon提到三星芯片事业部门第二季将出现获利,惟他拒绝透露更详细资本支出金额,以及获利数字。

 

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