市场传出苹果(Apple)大举向日本东芝(Toshiba)追加32G储存型快闪记忆体(NAND Flash)订单,且苹果第四季对Flash的需求还将增加一倍,此举导致近期Flash价格维持高档不坠,对创见(2451)、群联(8299)等相关厂商而言是一项利
第三季DRAM价格看好,且DRAM大厂华亚科(3474)顺利完成3.1亿美元海外存托凭证(GDR)募集,已引发跟进效应,记忆体模组厂威刚(3260)趁势募资,威刚董事会通过拟私募1,200万股,每股价格为50元,预计可募得6亿元资金。
相较 DRAM 价格近期强劲走势,本 (8) 月上旬主流 MLC NAND Flash 合约价陷入多空交战,大致呈现涨跌互见的状况;展望未来,估计第 3 季NAND Flash 供需大致平衡,短期内合约价格呈现涨跌互见,以及部分持平。
DRAM现货价旺季强涨,主流规格1Gb DDR2均价本周有望挑战1.5美元的近11个月来新高价,下游内存模块厂威刚(3260)、创见(2451)获利幅度也可望上扬;力晶(5346)等上游芯片厂营运同步增温。
DDR3需求畅旺,市场缺口本季仍无法满足,南科(2408)、华亚科(3474)、力晶(5346)等本土DRAM厂陆续放大DDR3投片量,抢食商机。
据金融时报报道,尽管有迹象表明,台湾的DRAM存储芯片产业可能摆脱为期三年的低迷,但分析师和高管仍然认为,台湾可能无法充分利用改善中的市场前景。分析师普遍担心台湾DRAM存储芯片公司是否能筹足现金,为工厂引进50纳米技术。
2008年下半在全球金融海啸冲击下,终端消费市场需求快速萎缩,造成DRAM现货市场报价在这半年间下跌幅度超过50%,连带使得原本就亏损累累、财务体质日渐恶化的DRAM制造厂商营运更显得险象环生。
DRAM价飙今年新高,力晶 (5346-TW)、茂德 (5387 -TW) 应声涨停,紧追三星 (05930-KR) 脚步,擘划跨入 40 奈米的华亚科 (3474-TW),却有利多出尽味道,外资花旗最新报告虽然调高华亚科目标价,却仍高声喊卖;华亚科成交量
分析师及产业主管表示,全球第二大的台湾 DRAM 产业,可能没办法搭上市场情况从 3 年来跌势转好的潮流。
10日报导,东芝(Toshiba Corp.)为削减半导体事业的固定成本,计划在2011会计年度底以前将NAND型快闪记忆体(NAND Flash)后端封装业务的海外生产比重拉升至80%(较2008会计年度底提升30个百分点),并同时削减三重县生产据点的晶
8月上旬储存型闪存 (NAND Flash)合约价出炉,市场主流的16Gb MLC合约均价攀高至4.12美元,上涨3%。
全球金融危机余波不断,即便2009年6月景气似乎开始向上回升,但令人担忧的是景气彷若陷入无成长复苏。因应现今不确定市场,储存厂商KINGMAX早于2008年开始调整经营策略,协泰国际总经理张成谦指出,公司现不以扩大市占率为目标,而以追求实质获利为标的,整体
日本媒体日刊工业新闻10日报导,日本DRAM大厂尔必达(Elpida)预计将于今年Q4(10-12月)开始量产采用该公司新研发的40奈米(nm)制程技术的DRAM。报导指出,尔必达将活用现行50nm制程的制造设备,以将投资额压到最低限度;尔必达计划将旗下以
DRAM产业大者恒大趋势更加显著,根据统计以品牌厂计算,三星、海力士的占有率合计从第一季的48%,攀升至第二季的突破50%,而全球前五大品牌厂市占率更逼近90%。
DRAM 景气旺,报价看得到。8 月上旬 DRAM 合约价全面上扬约 10%,现货价最新报价更写下今年新高,DDR2 1Gb eTT 均价已来到 1.44 美元,距离 1.5 美元指标价位仅剩 4% 努力空间。