多空交战 8月上旬NAND Flash合约价涨跌互见

存储器 中国闪存市场 Helan 2009-08-11 13:57

 

相较 DRAM 价格近期强劲走势,本 (8) 月上旬主流 MLC NAND Flash 合约价陷入多空交战,大致呈现涨跌互见的状况;展望未来,估计第 3 季NAND Flash 供需大致平衡,短期内合约价格呈现涨跌互见,以及部分持平。
NAND Flash 供应商以较先进制程技术 4x 奈米与 3x 奈米所生产的高容量产品比例逐渐提高,高容量颗粒的成本下降效益显现,因此部分供应商主动调降高容量 MLC NAND Flash 颗粒合约价,小幅调降约 2-5%,以促销淡季买气。
同时,以较成熟制程技术所生产的低容量颗粒产出比重因此递减,所以某些供应商在 8 月上旬也小幅调高部分低容量 MLC NAND Flash 颗粒的合约价,约5-7%。
就需求面而言,供应商在第 3 季虽已接获手机及 MP3 系统厂商客户的旺季备货长单,但部分记忆卡及随身碟 (UFD) 客户在 8 月初仍处在传统暑假淡季。
虽然市场预期,记忆卡及 UFD 的旺季备货需求也可望自 8 月底逐渐回温,但部分供应商在第 3 季小幅增加晶圆产出量,且 8 月以后多数供应商都将逐渐地增加 3x 奈米制程技术的产出量,恐抑制高容量颗粒价格未来的上涨动力。
此外,9 月市场又受到季底结帐效应因素影响,因此第 3 季供需面的正负面因素会相互抵消,科技预期,第 3 季 NAND Flash 市场大致处于供需均衡。
由于 NAND Flash 供应商彼此间的客户结构、接单状况以及制程技术进展有所差异,因此,NAND Flash 供应商未来也会采取不同的定价策略,来因应自身的产销状况,估计 NAND Flash 合约价格短期内仍将呈现涨跌互见及部分持平的状况。
 

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