日本媒体日刊工业新闻10日报导,日本DRAM大厂尔必达(Elpida)预计将于今年Q4(10-12月)开始量产采用该公司新研发的40奈米(nm)制程技术的DRAM。报导指出,尔必达将活用现行50nm制程的制造设备,以将投资额压到最低限度;尔必达计划将旗下以65nm制程为主力的广岛工厂阶段性的变更至40nm制程,预估总投资额将压在1,000亿日圆以内。
报导指出,和现行50nm制程产品相比,尔必达所研发的40nm制程产品的晶片(chip)尺寸缩小了30%、每片晶圆所能制造的晶片数则增加了40%;尔必达初期并将以2GB DDR3 DRAM为量产的主要对象。
在40nm制程DRAM的量产上,三星电子(Samsung Electronics Co., Ltd.)已于7月21日宣布,已开始量产业界首见采用40nm制程技术的2GB DDR3 DRAM。三星电子是在2009年1月份研发出上述DRAM。

