今年DRAM跟Flash的市况都是中性偏多,其中DRAM因为有供给缺口,因此又比Flash好

记忆体模组厂商威刚(3260)公告自结2009年12月营收为42.94亿元,月衰退4.13%,累计2009年营收为348.44亿元,较2008年的290.17亿元成长20.08%,至于全年获利方面,威刚表示,由于前三季税后盈余已达14.30亿元,全年获利可

2009年下半起DDR3开始逐渐取代DDR2,由于制程改变,DDR3测试时间跟着拉长,封装脚数也变多。封测业者说,DDR3时脉速度高达1,066~1,333MHz,高于DDR2的800MHz,DDR3测试时间也拉长至800~900秒,需要购买新测试机台,才

DRAM产业迈入多头,力晶(5346)宣布去年第四季转盈后,力晶子公司瑞晶,以及其友好厂模组大厂威刚(3260)今(5)日都将举行记者会,预料都将释出正面讯息,为各厂即将展开的法说行情率先暖身。

受惠微软作业系统Windows 7渗透率持续提升,及电脑系统厂大幅拉高DDR3机种比重,DRAM厂DDR3新产能已陆续开出,但因后段封测产能提升速度较慢,预估今年上半年DDR3封测产能吃紧情况更加严重,且可能因此影响到DDR3的供货量。

计算机系统厂大幅拉高DDR3机种,DRAM厂加速50奈米DDR3制程微缩速度。随着DRAM产能大量开出,近年来产能增加有限的封测厂在2009年第4季被DRAM厂追着要产能,增添封测厂力成科技、福懋科技、华东科技和联测科技等第4季业绩,其中福懋科第4季营收季

在内存市场需求陆续好转后,台系利基型内存IC设计业者也同步受惠,在2009年时持续进行制程推进,带动毛利率逐季回升。现阶段已进入2010年,台系利基型内存IC设计业者也将持续朝制程推进努力,除提高70~90奈米(nm)产品的出货比重外,也有规划走向65nm

2010年第一个交易日DRAM现货价开平高盘,DDR2价格持平,DDR3微涨。

相较传统硬碟的读取模式,以NAND快闪记忆体为主的固态硬碟(SSD),因为耗电量更低、读写速度更快,已成为未来讲求环保云端运算(Cloud Computing)最佳储存硬体。

NAND快闪记忆体今年主流制程将转进40奈米以下世代,由于新制程NAND晶片读写速度均大幅提高1倍到1Gbps以上,仅能支援480Mbps的USB 2.0因频宽受限已不敷使用,包括三星、东芝、英特尔等业者,将在今年美国消费性电子展(CES)中宣示跨入USB

台湾DRAM产业成也12吋晶圆厂、败也12吋晶圆厂!在金融风暴的期间,台湾DRAM产业身背2,000亿元的负债,每天摇旗吶喊希望政府金援,否则整个产业面临垮台的命运,根本原因就是过去几年间,业者太容易拿到资本市场的资金,因此盲目盖了太多的12吋厂,随着微软

承启(2425)受惠于DRAM需求紧俏,价格看涨,2008年股价以2.93元封关后,短短一年期间,2009年封关则走高至24.8元作收,一年来大涨746%,涨幅惊人;

随着国际大厂将记忆体制程推进到50奈米,各大厂倾全力抢进DDR3,由于DDR3与DDR2相较,具有低耗电、速度更快等优点,被CULV架构的笔电采用机率较高,业界普遍认为下游笔电业者大推CULV之下,将会带动DDR3的需求,DRAM大厂预测,明年DDR3将逐

看好明年个人电脑(PC)换机潮,DRAM模组厂明年营运有机会维持今年水准,股价也水涨船高,昨天威刚(3260)股价重回到百元俱乐部,劲永(6145)也再度站上30元大关,累计今年涨幅,威刚达6倍,劲永也逾4倍。

全球DRAM产业规格世代交替即将启动,2010年第1季终端市场转进DDR3新规格比重上看60%,预计2010年下半市场比重可望拉高到80%,在需求增温下,DDR3价格可望获得支撑.

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