NAND快闪记忆体今年主流制程将转进40奈米以下世代,由于新制程NAND晶片读写速度均大幅提高1倍到1Gbps以上,仅能支援480Mbps的USB 2.0因频宽受限已不敷使用,包括三星、东芝、英特尔等业者,将在今年美国消费性电子展(CES)中宣示跨入USB 3.0世代。台湾已完成USB 3.0元件端(Device)控制晶片研发的智原(3035)、创惟(6104)等业者,本季可望陆续获得NAND业者订单。
随着NAND价格陆续回升,NAND业者均大幅提高今年资本支出,几乎包下了艾司摩尔(ASML)、佳能(Canon)、尼康(Nikon)等浸润式(immersion)微影设备机台今年过半产能,以利进行次世代NAND制程微缩。根据通路业者表示,三星及东芝的32奈米、英特尔及美光的34奈米晶片、海力士的41奈米等NAND晶片,将陆续在第2季后陆续量产出货。
值得注意之处,是40奈米以下NAND晶片读写速度已大幅提升1倍,读取速度理论值达每秒230MB(约1.84Gbps)、写入速度理论值达每秒180MB(约1.44Gpbs),等于NAND晶片读写速度已跨入1Gbps世代,至于终端记忆卡的读写速度理论值,也已拉高至 800Mbps以上。
但是,现在普遍应用在NAND终端产品的USB 2.0介面,传输频宽最高仅480Mbps,无法因应愈来愈快的NAND晶片或记忆卡的读写速度,因此,包括三星、海力士、东芝及新帝、英特尔及美光等 NAND供应商,将于今年CES展中宣示进入USB 3.0世代。国内模组厂如创见、威刚、劲永、金士顿等,也将推出记忆卡、随身碟、固态硬碟(SSD)等USB 3.0新产品。
受惠NAND业者的全力支持,USB 3.0成为今年CES展当红话题,国内晶片厂中,以智原及创惟的研发速度最快,已完成了元件端控制晶片量产准备。其中智原USB 3.0实体层(PHY)获得多家NAND控制晶片厂采用,本季起PHY矽智财授权及委托设计案(NRE)收入明显增加,特殊应用晶片(ASIC)也将正式出货。
创惟除了在CES展出USB 3.0桥接晶片及集线器(Hub)等产品,NAND控制晶片也已进入最后设计定案(tape-out)阶段。通路业者表示,智原、创惟的解决方案已获 NAND业者询问,第1季中下旬应可开始接单量产,成为USB 3.0世代交替下的主要受惠厂商。