2010年存储器产业景气好转,带动存储器大厂筹资潮,南科(2408)、旺宏(2337)相继公告大规模募资计画,筹资水位上看618亿元、300亿元,如果加上华亚科(3474)已完成的144亿元现增、327亿元银行团联贷,今年存储器大厂至少从资本市场吸金1,3

三星跳电带动上周DRAM现货价飙涨,DDR2、DDR3站上3美元,激励DRAM合约价续扬,南科4月合约价可望再拉抬10%,出现淡季涨价盛况。海力士也释出只能满足60%客户需求利多,DRAM产业第2季热络程度将超过去年第4季。

Nor Flash大厂飞索 今年2月爆发财务危机之后,后续效应持续发威,Nor Flash价格因供给短缺,已酝酿第二季涨价可能,嘉惠台股包括旺宏 (2337)、晶豪科 (3006)今股价应声大涨,而可能因缺货而影响出货的联发科(2454)仅管公司澄清并未感

据报导,全球第2大记忆体制造商Hynix新上任的执行长Kwon Oh-chul 29日表示,今(2010)年营收可望创10年以来新高,主要是拜供给吃紧、需求展望看俏之赐。他指出,目前该公司仅能满足60%客户需求。

三星电子28日发布新闻稿宣布,旗下采用40奈米制程技术的伺服器专用32GB RDIMM(附带暂存器的双线记忆体模组)已开始送出样本。根据新闻稿,该模组采用了双晶片(Dual-Die)封装技术,由36颗40奈米4Gb DDR3组成32GB容量,效能等同或高于

记忆体景气复苏,各厂拼命募资抢钱,继南亚科、钰创近期有意募资外,群联也将2009年股东会通过,且于2010年5月8日过期的私募额度顺势推动办理,预计动用5,000张股票私募,以目前股价推算可募得新台币12亿元。

群联的私募策略相当灵活,早先以私募方式引进日系存储器大厂东芝(Toshiba),2008年再度引进韩国存储器大厂海力士(Hynix)和存储器模块大厂金士顿(Kingston)等,巩固NAND Flash货源和客户,目前东芝和海力士都是群联的NAND Fla

受到DRAM大厂三星半导体间歇性跳电影响,DRAM价格出现喷出走势,利基型DRAM的DDR 512Mb现货价连续2天大涨,累计涨幅达10%。

韩国“天安舰”昨天晚间在黄海沉没,由于韩国是全球最大DRAM生产国,韩国情势将牵动全球DRAM市况变化,台湾DRAM厂纷纷关注这起事件后续发展。

南、北韩昨(26)日爆发近年来最严重军事冲突。业者指出,南北韩爆发冲突,严重影响国际和平,全世界都是输家,但因南韩与我国产业大都处于竞争关系,若南韩产业因冲突加剧受创,台湾面板、DRAM、液晶电视等都将受惠。

全球第二大电脑记忆体晶片制造商海力士半导体公司(Hynix)26日表示,个人电脑(PC)市场复苏将带动动态随机存取记忆体(DRAM)需求,“今年是产业景气极佳的一年”,预期今年盈余将创新高纪录。

受到前天龙头三星跳电刺激,DRAM现货价喷出飙涨,DDR2今早最高攻至3.1美元,再创新高,本周累积大涨逾1成,DDR3同步创下3.1美元新高,DRAM厂本月营收进补,4月亦不看淡。

3月下旬NAND Flash合约价以16Gb、32Gb MLC规格晶片报价较为疲弱,呈现平盘至下跌2.7%走势,均价各为3.92与7.04美元。

美光除DRAM、NAND闪存外,今后还将涉足NOR闪存、MCP(Multi-chip Package,多芯片封装)乃至相变内存(PCM),变身为业内的“全能选手(All-around Player)”。在半导体内存业务方面,该公司一直保持着微细化领跑者的优

受供应紧张担忧推动,DRAM晶片现货价格继续走高,这预示存储晶片制造商第一季度收益会有良好表现。

简讯快报

更多