三星跳电 利基型DRAM现货价 2天涨10%

存储器 中国闪存市场 Helan 2010-03-28 20:49
受到DRAM大厂三星半导体间歇性跳电影响,DRAM价格出现喷出走势,利基型DRAM的DDR 512Mb现货价连续2天大涨,累计涨幅达10%,明显受到三星8吋厂跳电激励,而正在进行主流交替的DDR2价格也强劲喷出,由于目前部份通路对DDR2产品仍存在一定需求,致DDR2 因产能遭到排挤,供给比 DDR3 产品吃紧,也激励 DDR2 近期价格走势较 DDR3 强势,均价在今年首度超越主流的 DDR3,站上每颗3.15美元,已超越 DDR3 1Gb 颗粒现货均价的 3.07美元。
DRAM现货报价本周走势令市场吒舌,原本就已经供需吃紧的价格受到三星跳电的事件激励,价格强势反弹,由于三星位于器兴的8吋厂以生产DDR1以及静态随机存取记忆体,现货价格也以DDR 512Mb的走势最为强劲。
三星跳电的首日,DDR 512Mb的报价就大涨超过7%,昨(26)日再接续大涨3.6%,均价站上每颗2.24美元,累计2个工作日涨幅就高达10%。
此外在大宗标准型DRAM方面,也出现戏剧性走势,受到DDR2产能短缺影响,DDR2的涨势超过DDR3,本周涨幅同样超过10%,DDR2 1Gb有效测试颗粒价格站上3.15美元,昨单日涨幅达2.4%,而昨日DDR3报价则为3.05美元。
日前创见董事长束崇万推估,DRAM厂的生产成本落在1.5美元左右,报价在2.5美元至2.6美元时,DRAM厂的毛利率约有30%至40%毛利率,如今现货市场报价已经达3美元以上,据此推算,以现货市场为主的DRAM厂,本周已经出现卖一颗赚一颗的盛况。
 
 
 

推荐:电脑用的少,手机扫一扫,资讯快一步!

扫码关注我们

简讯快报

更多