编码型闪存(NOR Flash)大厂飞索(Spansion)日本子公司8吋晶圆厂传将卖给德仪(TI)、停止NOR Flash业务,将使全球供应瞬间减少逾一成,让已大缺货的市况雪上加霜,价格恐持续飙涨,台湾旺宏(2337)、华邦(2344)可望受惠。

DRAM股本周股东会开跑,将由力晶 (5346)、华亚科 (3474)率先登场,记忆体封测厂力成(6239)也紧接着举行。华亚科今跳空开高,上涨逾3%,在族群中表现最强势,南科也同步走扬,由于南科、华亚科近期跌势大,随下半年即将进入营运转机期。

记忆体产业第二季仍存有淡季效应,加上系统厂商不愿意在高价之际建立库存的情况下,近来记忆体现货价跌多少涨,又以逐渐退出市场主流的DDR2跌幅较大。另外,从合约价的角度来看,5月份报价也是持平,缺乏上涨动力,市场预料,6月份要出现涨势的机会仍不大。

华邦电子(2344)上周随DRAM股回档,但该公司第一季标准型DRAM仅占营收比重一成,今年底将完全退出标准型市场,可完全脱离DRAM产业循环的考验,上周「外资买,投信卖」。

NOR Flash记忆体在全球总体经济环境改善与市场需求回升的提振下,今年该产品总体营收可望较去年成长4.2%,达48亿美元。

DRAM现货价续跌,将牵动合约价走势。业者预期,6月上旬DDR2合约价将下跌一成,DDR3 1Gb合约价则下滑约5%;随著第三季旺季需求回温,DRAM价可望重启涨势。

DRAM股在南韩三星扩产利空冲击下,股价跌不休,DRAM业者纷出面信心喊话,DRAM股在台股续下挫的冲击下,止跌落空,力晶(5346)周三将召开股东会讨论减资与增资案,利空气氛使得案子能否顺利将受瞩目。

若DRAM价格及日圆汇率维持于现行水平的话(1Gb现货价2.5美元左右、1美元兑90日圆左右),则该公司今年度(2010年4月-2011年3月)营益可望达1,500亿日圆以上,将达上年度的5.6倍(年增460%)。

三星电子半导体事业社长权五铉3月中旬应全球半导体联盟(GSA)论坛之邀来台湾演讲时,公开呼吁要全球DRAM同业节制扩产,转向追求产品价值和技术研发,引起同业附和声浪,也同声表明不会大幅扩产,只专注于制程微缩和导入更先进的制程来增加产出。

三星大举扩产的影响不大,却不敌大盘信心崩溃,DRAM类股本周平均跌幅逾15%,5档DRAM股市值,一周之内锐减超过300亿元,考验下周召开股东会的力晶、华亚科(3474)股价抗跌力。

虽然近来DDR3现货价跌破3美元,但法人认为应属淡季效应。根据第1季 DDR3 平均合约价和现货价在第1季的涨幅分别是16% 和14%,从去年第4季的 40%和30%放缓下来。

摩根士丹利证券因此特别举办记忆体供应链「总经理论坛」,与会者包括华亚科总经理高启全、记忆体封测厂华东科技总经理于鸿祺、威刚董事长兼总经理陈立白,以及创见副总经理等,预估6月份DRAM合约价将微幅下滑,第三季则受惠于季节性需求强劲,价格可望止稳。

韩国三星大扩产,从好的方面来看,是看到DRAM需求强劲,今年全球资本支出也尚处于低水位,不过,对于才刚脱离谷底的台湾厂商而言,却面临竞争力长久居于劣势以及2012年供过于求的危机重现。

因淡季因素,DRAM现货价持续走弱,预期下月合约价至多持平,又逢欧美股市重挫;指标股华亚科(3474)再创今年新低价,南科(2408)逼近今年新低,茂德(5387)、力晶(5346)再度跌停。

IC设计公司银灿宣布将推出USB 3.0 to SATAII控制晶片解决方案,会在台北国际电脑展(COMPUTEX)中展出后,将于6月开始量产,已有多家客户表明愿意采用之意。

简讯快报

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