DRAM:三星大扩产证实景气佳,但体弱台厂又受伤

存储器 中国闪存市场 Helan 2010-05-21 12:39
韩国三星大扩产,从好的方面来看,是看到DRAM需求强劲,今年全球资本支出也尚处于低水位,不过,对于才刚脱离谷底的台湾厂商而言,却面临竞争力长久居于劣势以及2012年供过于求的危机重现。
另外,力晶(5346)、茂德(5387)都拟减资再增资,三星扩产的利空不利于筹资的气氛。
三星宣布,计划提高2010年资本支出1倍至18兆韩元,并配置9兆韩元于自家Line 16存储器芯片事业,这是继2006年过度扩张后,5年来首度在韩国新建的DRAM/Flash厂。根据法人指出,6.3兆韩元(约54.67亿美元)将投资于DRAM事业,2.1兆韩元则投资于NAND Flash事业。
三星大扩产,同业美光科技表示是因三星看好需求,事实也是如此;由于微软Win7 平台带动PC/NB换机潮涌现,三星对DRAM展望非常乐观。其它成长快速的消费性电子产品,例如平板PC和智能型手机等,也提高DRAM和Flash存储器需求。
不过,在三星积极扩产后,预估三星于2011和2012年产出成长率将分别增加5%和20%。总体而言,2011年将从供货短缺转为供需平衡的局面,2012年恐呈现供过于求局面。
至于对于台系厂商的冲击,法人认为,对南科(2408)和华亚科(3474)的影响有限,主要因为这两家公司得到台塑集团资金挹注加上美光(Micron)技术支持,可望在2010年率先进入40纳米制程,但,对力晶(5346)和茂德(5387)影响就较大,由于财务状况较为吃紧,此两家还没有明确导入更佳产能的计划。
为脱离全额交割,力晶与茂德拟减资,尔后再进行增资,下周三(26日)力晶股东会率先打头阵,将决议减资38%;茂德股东会则定在6月18日,将讨论减资65%。

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