DRAM厂资本支出

存储器 中国闪存市场 Helan 2010-05-24 08:07
三星电子(Samsung Electronics)半导体事业社长权五铉(Dr. Oh-Hyun Kwon)3月中旬应全球半导体联盟(GSA)论坛之邀来台湾演讲时,公开呼吁要全球DRAM同业节制扩产,转向追求产品价值和技术研发,引起同业附和声浪,也同声表明不会大幅扩产,只专注于制程微缩和导入更先进的制程来增加产出。
但三星却在3月17日宣布在2010年将砸下26兆韩元(约折合228.8亿美元)的资本支出在半导体、面板等各事业群,导致业界一片哗然。同业看法虽然相当愤慨,但手上银弹有限,无法复制三星这种钱海攻势,眼前能作的只有专注制程微缩,先做好这一步,把成本大幅降低后,下一轮再来讲扩产议题。
尔必达(Elpida)2010年预定的资本支出计画为1,150亿日圆,较2009年438亿日圆增加163%,主要是用于转进45奈米制程所需要的费用。
在台厂方面,力晶、瑞晶等资本支出都在百亿元左右,而资本支出手笔最大的是台塑集团旗下的南亚科和华亚科。其中南亚科2010年的资本支出从新台币190亿元提升至220亿元,华亚科也从450亿元提升至520亿元,主要都因应下半年12寸晶圆厂产能全面转进50奈米,其中南亚科现有的12寸晶圆厂也将扩充至5万片。
然为了催生42奈米制程提前登场亮相,南亚科和华亚科也计画二度调升资本支出,来因应三星和尔必达的强劲攻势,预计合计2家公司今年的资本支出可能会逼近千亿元,成为台厂之冠。

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