据JEDEC此前路线图信息显示，DDR6 目标峰值传输速率可达17.6 Gbps，约为当前 DDR5 最高速率（8.4 Gbps）的两倍。
适逢五一劳动节，按国家规定放假5天，即2026年5月1-5日放假。放假期间所有产品均暂停报价，5月6日（星期三）所有产品恢复报价。
十铨科技总经理陈庆文表示，在AI服务器与数据中心需求持续爆发下，原厂产能已提前被预订至2027年，意味着短期价格走势只会涨或持平，今年内看不到下跌可能。随着上游缺货情况加剧，下游客户转向模组厂采购，十铨第一季B2B营收占比大幅提升，且后续仍将持续攀升。原先预期今年营运高峰落在上半年，但在需求维持强劲下，高峰时点持续递延。
希捷科技发布2026财年第三财季财务报告。报告期内，公司实现营业收入31.12亿美元，同比增长44%；非GAAP下净利润为9.34亿美元，同比增长129%；非GAAP毛利率达到47%，较上季度提升4.8个百分点。业绩增长主要受益于AI驱动的大容量硬盘需求上升及产品组合优化，数据中心与企业级存储出货量显著提升。。展望第四财季，预计营收34.5亿美元（上下浮动1亿美元）。此外，希捷CEO在财报会议上将年收入增长目标从低至十几个百分点上调至未来数年至少20%。
价格方面，吴敏求表示，目前旺宏电子产品已采用每月议价，并非季度报价模式；后续仍会根据市场需求、供需缺口及客户状况调整价格。
三星电子工会在23日的集会上重申其诉求：将年度营业利润的15%作为绩效奖金发放，废除绩效奖金上限，并要求奖金制度透明化。如果劳资双方未能达成协议，将于5月21日至6月7日正式展开罢工行动。
据韩媒报道，三星电子已生产出适用于10纳米以下DRAM工艺的可用工作晶圆。业内人士透露，三星在上个月采用其10a工艺制造的晶圆测试中，确认了一颗可用的晶圆，体现了4F²单元架构和垂直通道晶体管（VCT）结构的首次应用。据悉，三星的目标是在今年完成10a DRAM的开发，明年进行质量测试，并在2028年实现量产。该公司计划在10a、10b 和10c三代产品中使用 4F² 和 VCT 结构，然后在10d代转向3D DRAM。
3D X-DRAM采用存储单元垂直整合架构，突破传统存储容量扩展限制。该技术有望应用于HBM、DDR以及AI与HPC等领域。
当地时间4月22日，JEDEC发布了一系列计划纳入其JESD209-6 LPDDR6标准下一版本的新功能预览，致力于将LPDDR6的应用范围从移动平台扩展到支持特定数据中心和加速计算工作负载。即将推出的LPDDR6更新计划包括以下特征：更窄的芯片接口（x6）以实现更高的容量；支持灵活的元数据分离；容量有望突破当前LPDDR5/5X的最大容量限制达到512GB；LPDDR6 SOCAMM2模块标准正在开发中。此外，LPDDR6 PIM 存内处理技术标准制定也接近完成。
Nextorage（群联旗下日本存储模组企业）宣布推出 G Series EEA固态硬盘，提供1TB、2TB、4TB、8TB四种容量版本。该SSD采用PCIe Gen4 × 4接口，搭载3D QLC NAND闪存，整体方案为DRAM-less HMB+SLC Cache，质保期1年。
据媒体报道，由于特斯拉的存储需求激增，4月三星向特斯拉供应的8GB GDDR6 DRAM较第一季度月均水平增长了三倍。三星已提高位于韩国华城工厂的产能，以满足客户对DRAM的需求，还计划在2026年下半年于得克萨斯州的工厂开始为特斯拉生产先进的人工智能芯片。
D1d是三星电子将应用于第九代高带宽内存HBM5E的关键产品。虽然1c DRAM可以支持第六代到第八代内存（HBM4、HBM4E、HBM5），但从HBM5E开始，稳定的D1d供应至关重要。
此外，与美光合作的HBM后段晶圆制造（PWF）产线已于新竹厂区扩建无尘室，预计2026年第3季开始机台搬入，2026年第4季开始试产，2027第4季进入量产，目标月产能2万片。
三星NAND Flash产能投资计划将在目前正在建设中的平泽P5工厂进行，这将是自P3工厂以来，三星电子首次大规模扩建NAND Flash产线。由于市场低迷，三星此前一直专注于P4工厂的DRAM生产投资。
本次交易设置了明确的业绩承诺：嘉合劲威2026年至2028年累计实现净利润不低于2.34亿元(其中2026年不低于7000万元，2027年不低于7700万元，2028年不低于8700万元)。
涨价风暴来袭：AI“吸干”存储产能，苹果也扛不住了
受相关资源端供应紧缺影响，LPDDR5X/4X及渠道DDR5价格全面调涨
AI时代存储原厂扩产路线分化：DRAM拼产能，NAND拼技术