三星电子申请HBM封装新专利，探索高堆叠结构优化方案

据外媒报道，三星晶圆代工在2025年初短暂暂停1.4nm半导体制造技术的商业化后，已恢复该技术的商业化。鉴于其2nm芯片制造工艺（SF2和SF2P）目前进展顺利，公司正推进1.4nm工艺的先进开发。据悉，三星已对相关进度进行了一些调整，新的时间表已从2027年推迟到2029年。三星晶圆代工已邀请应用材料和Lam Research等合作伙伴启动定制芯片制造设备的先进研发工作，相关设备将交付至三星NRD-K园区。

据外媒援引知情人士消息，受成本上涨、芯片等零部件严重短缺的持续重压，小米、OPPO、vivo 等国内主流手机厂商已告知供应链厂商，将再度下调本年度出货目标，其中小米将下调30%至约9500万部。

江波龙宣布已建设完成mSSD月产能百万级交付能力，具备稳定且规模化量产交付条件，可充分匹配市场增量需求，后续产能仍具备持续扩容、翻倍释放的空间。

三星电子发布名为 “包括沿垂直方向堆叠的多个半导体芯片的半导体封装”的HBM封装新专利，旨在解决高带宽内存（HBM）封装的可靠性问题。据其28日提交的申请显示，三星电子采用“深槽切割”工艺，将堆叠在HBM顶部的虚拟芯片的侧面加工成三级阶梯状曲面结构，这种方法可以有效改善高堆叠HBM中常见的芯片分层、开裂和翘曲等问题。另外，热管理方面，该专利将粘合绝缘层底面与水平延伸面之间的垂直距离精确设计在1-10微米之间，使传热效率保持在现有水平；还包含一种改进的凸起表面结构，可最大限度地减少成型层的体积，从而有可能改善传热路径。

据外媒报道，为突破现有 CXL 套件限制，实现单服务器多类型内存混合使用，Meta开发了一项名为“Vistara”的内存复用技术，可将旧服务器拆下的DDR4内存重新接入新服务器，并借助自研CXL（Compute Express Link）技术在不同应用之间共享内存，同时尽量降低跨应用共享带来的额外时延。据悉，Vistara ASIC 的核心设计是通过符合 CXL 2.0/1.1 标准的 PCIe Gen5 x16 接口将 DDR4 内存连接到主机处理器，Meta已将这种CXL技术应用于拥有数百万台服务器的超大规模基础设施。

据业界消息，聚辰股份已向其经销商下发通知，全系列NOR Flash产品价格将于2026年7月6日起适度上调，调整幅度为在现有价格基础上调25%。聚辰股份表示，所有新签订单及未交付订单的未执行部分均按新价格执行。

英伟达机器人团队围绕具身智能、仿真、部署及解决方案架构四大核心方向开放招聘，北京、上海、深圳三地均设有岗位。英伟达表示，团队意在推动机器人从实验室走向产业落地，加速智能自动化在各行业的应用，致力于实现具身智能机器人落地真实世界。

AMD正式推出Versal™ Premium Gen 2 内存封装（MoP）自适应SoC。该架构将高达32GB的LPDDR5X内存直接集成于单一封装内，可提供最高288GB/s的带宽，同时节省高达60%的电路板面积。这一设计让工程师无需承担板级内存设计的风险与耗时，即可轻松构建高带宽系统。

6月30日早间，截至发稿，德明利、大普微跌超4%，佰维跌超3%，江波龙、兆易跌超2%，联芸逆势走高涨超1%。盘面上，兆易创新昨晚发布股票交易风险提示的公告称，股票价格短期累计涨幅较大，未来可能存在股价快速回落风险。

6月30日早盘，韩国股市短线跳水后回升，韩国KOSPI指数盘中跌幅一度扩大至2%。截至发稿，韩国KOSPI指数回升，跌幅收窄至0.03%；三星涨超1%，SK海力士跌近1%。

当地时间6月29日，美股三大股指全线收涨。截至收盘，道琼斯工业指数涨幅0.59%，报52182.74点，创下历史收盘新高；标普500指数涨1.18%，报7440.43点；纳斯达克综合指数大涨2.07%，报25820.14点。其中，大型科技股涨跌互现，谷歌A、谷歌C均涨超4%，亚马逊涨超3%，AMD涨超3%，英伟达涨超1%，高通跌0.35%，苹果跌0.72%，微软跌超1%；存储板块涨跌不一，西部数据涨超11%，希捷涨超7%，美光涨超1%，闪迪跌超1%。

DeepSeek 团队宣布，DeepSeek V4 正式版计划于 7 月中旬正式上线，本次版本更新将带来更多功能优化和性能提升。为了更合理地配置资源、提升服务稳定性，正式版发布后将同步调整 API 定价策略，引入峰谷定价机制。据其价格表显示，API 高峰时段价格将是平时价格的 2 倍，平时价格与 DeepSeek V4 API 目前定价相同。高峰时间段为每天的上午 9 点到 12 点、下午 2 点到 6 点。

联发科近日向其客户发布涨价函，涨价函称，前所未有的零组件短缺、产能受限、供应商交期延长，以及原物料与物流成本大幅上升，均导致其成本大幅增加，虽然该司已已采取多项措施确保持续稳定供货，并在力所能及的范围内自行吸收成本，但现有成本上升的幅度与持续性，使其必须重新检视订价结构，以确保产能、保障供应连续性并持续投入关键技术研发。涨价函并未提及具体涨价产品及涨价幅度，具体调整内容将由业务经理与客户进行沟通。

据路透社引述知情人士消息，长鑫存储与腾讯控股签署了一份价值超过 200 亿元人民币的长期供应协议。消息称，该协议涵盖为期数年的服务器 DRAM 芯片供应。对于该协议的期限，有观点认为最长三年，另有观点称期限最长可达五年。

中国中车集团公布2026年度存储设备集中采购项目中标结果，中科曙光中标分布式NAS、分布式对象、分布式块、集中式SAN、集中式NAS全部五个标段，实现了在高端装备制造领域对全场景存储需求的全面覆盖与支撑。

据韩媒报道，三星电子详细阐述了其价值2655万亿韩元的集团国内投资计划。该计划的核心是扩大全国范围内的生产基地，重点发展人工智能（AI）半导体、机器人、电池以及IT组件和材料。据悉，三星正投资2030万亿韩元用于培育半导体产业集群，其中包括平泽园区和龙仁国家工业园区，并计划在湖南、忠清和岭南地区投资625万亿韩元，重点发展人工智能半导体、机器人、电池以及IT组件和材料。具体来看，为积极应对湖南地区半导体市场爆炸式增长的需求，三星计划投资总计425万亿韩元，其中400万亿韩元将用于半导体领域的投资。三星电子正致力于在光州建设一座新的半导体制造厂，并打造一个基于数字孪生技术的创新中心。三星电子将在忠清地区投资总计140万亿韩元，其中关键项目是在天安和温阳建设高带宽内存（HBM）晶圆厂。三星计划在岭南地区投资60万亿韩元。该公司旨在通过将人工智能转型（AX）和机器人转型（RX）融入其核心制造领域，将其现有制造业转型为高科技产业。

据韩媒报道，三星电子董事长李在镕于29日在由李在明总统主持的“韩国大跃进三大工程国家简报会”上表示，因为预计光州能够提供包括电力、水、人力和基础设施在内的各种支持，三星在众多地区中计划将光州作为新建半导体综合体的候选地点。他还透露了投资AI存储器的计划，将集中投资于忠清地区的HBM晶圆厂，包括天安和温阳。此外，李在镕会长还表示，与机器人相关的投资将集中在庆尚北道龟尾市，三星SDI将主要投资于蔚山和巨济。三星电机还提出了扩大其半导体封装基板业务（以釜山工厂为中心）投资的计划，以及将投资集中到仁川松岛的生物业务，推动发展为世界上最大的生物综合体。

ASICLAND今天在官网宣布，已与SK海力士签署下一代 eSSD主控开发合同。该协议涵盖SK海力士下一代eSSD主控定制设计服务及后续开发阶段（包括流片支持）。ASICLAND将作为技术合作伙伴，利用其基于台积电先进工艺的ASIC设计和验证能力，支持SK海力士下一代产品的开发。合同金额约为319亿韩元（折合人民币约1.4亿元），有效期为2025年5月27日至2027年12月31日。

据韩媒报道，受炼油厂及石化厂开工率降低影响，半导体先进制程所需的高纯度二氧化碳（CO₂）供应趋紧，产业已拉响短缺警报。目前，行业整体库存已跌破常规的一个月安全水平（制造商与供应商通常各维持两周库存）。

数据显示，三星电子每月高纯CO₂消耗量约1800至2000吨，SK海力士则需600至700吨。尽管目前两大巨头尚未出现生产中断，但随着库存持续萎缩，企业正全力加紧采购。然而，即便提高采购单价，短期内也难以获取额外供货量。工业气体行业人士坦言：“由于原材料短缺，我们无法满足按需供应。从实际操作层面来看，短期内根本没有办法提高产量。”液化二氧化碳（CO2）价格较年初已上涨约20%。业界普遍认为，这种供需紧张的局面很可能会一直持续到年底。