2010年将正式加入2010年最夯的Mobile RAM产品线,Low-Power DDR和DDR2预计在第3季可小量试产,虽然对2010年的营收贡献有限,但未来成长潜力无限,加上数字TV、3D TV等消费性电子产品对于DRAM消耗量逐渐增加,未来DRAM

由于企业用户的NB或是PC多半已经超过保固期,加上Win7作业系统催化,6至7月开始将可明显见到换机潮启动,9月之后将正式引爆,换机潮的续航力可持续至2011年,下半年DDR3供应趋紧,DDR2也因为主流交替而走入历史。

目前小笔电采用的Atom 处理器,包括N270、N280、N450、N470都只能使用DDR2 667记忆体,并未跟上主流PC市场脚步采用DDR3。

大多数半导体短缺情况已获得纾解,主要是受到产能增加导致前置时间缩短、欧洲需求与相关毛利率下滑的影响。目前看来唯一仍呈现短缺的元件似乎为DRAM。

固态硬碟(Solid-State Disk, SSD)的技术存在市场上已经超过十年的时间了,企业储存市场固态硬碟的部署,将会比预期中来的慢;不过,最近有越来越多的企业,已经在准备进行固态硬碟相关技术与部署的评估。

内存模块厂多角化经营产品线的策略越来越积极,原本都还不脱内存的范畴,推出如行动硬盘、固态硬盘(SSD)等产品线,但现在涉猎领域是越来越广,创见正式宣布跨入多媒体播放器市场,推出第1款DMP10产品线;

USB 3.0产业正要蓬勃兴起,控制芯片业者除技术大车拼,近期亦频招揽内存产业链大将加入,希望在这场USB 3.0竞赛能够赢在起跑点。

全球第2大NAND型闪存(Flash Memory)厂商东芝(Toshiba)于2010-2012年度的3年内对半导体事业的设备投资(资本支出)将达约5,000亿日圆。

尽管快闪记忆体(NAND Flash)合约价缓步走跌,然由于明年固态硬碟(SSD)价格可望达1GB约1美元价位,取代硬碟(HDD)需求蠢动,加上电子书、iPad、iPhone需求带动,吸引国内外厂商投入NAND Flash领域。

虽然第2季需求相对稳定,但在低容量应用随身碟、记忆卡需求疲弱之下,NAND Flash 6月上旬合约价呈现下跌走势。主流16Gb、32Gb的MLC产品分别下跌0.25%、1.67%,不过预期在苹果iPad带动下,7月后主流NAND Flash价格可望上扬。

由于淡季效应持续,6月上旬储存型快闪记忆体(NAND Flash)合约价小幅下滑,预期苹果新商品的备货需求增温,第三季旺季仍可望带动价格回升。

受到销售淡季影响,DRAM 记忆体市场价格指出, 6 月份上旬 2GB DDR2 记忆体模组平均价格下降约 2% , 2GB DDR3 记忆体模组价格则录得轻微上升约 0.2% 。

苹果(Apple)延宕许久的备货动作终于逐渐展开,NAND Flash价格可望回稳,在高容量16Gb和32Gb芯片方面,甫出炉的6月上旬合约价已透露软中带硬迹象。

随着NAND Flash产业传统旺季的来临,除了系统厂在内嵌式内存需求热络外各业者期待零售市场的NAND Flash产品买气可逐渐升温,带动营收成长,其中最期待苹果(Apple)针对iPad和第4代iPhone等新产品备货力道持续,可再度炒热NAND Fl

半导体材料商利机(3444-TW)公布 5 月单月营收,达1.28亿,较 4 月营收衰退 5 %,较去年同期成长34%,累积 1 – 5 月营收营收达5.72亿元,较去年同期成长49%。

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