旺宏 尔必达 力晶 抢入NAND Flash

存储器 中国闪存市场 Helan 2010-06-12 12:19

尽管快闪记忆体(NAND Flash)合约价缓步走跌,然由于明年固态硬碟(SSD)价格可望达1GB约1美元价位,取代硬碟(HDD)需求蠢动,加上电子书、iPad、iPhone需求带动,吸引国内外厂商投入NAND Flash领域,旺宏(2337)、尔必达(Elpida)明年将跨足NAND Flash;力晶(5346)也将NAND规画为多元产品线之一。

NAND Flash技术领先DRAM一个世代,目前全球前五大制造厂均被国际厂商包办,三星、东芝、美光、海力士、英特尔囊括全球96.8%的市占率,台湾厂商在这一块缺席,然在分散产品风险的考量之下,力晶、旺宏相继宣布投入NAND Flash。旺宏表示,明年将投入NAND Flash量产,初期将以75奈米制程为主,第2阶段将投入57奈米,预估明年下半年就会有营收贡献。

力晶主要承接瑞萨半导体技术,投入研发已久。力晶总经理王其国日前表示,未来力晶将有三大主要产品线,除了先进制程的DRAM之外,NAND Flash以及晶圆代工也是重要的产品线,目前力晶12万片产能中,有8万片投入DRAM,其余4万片支援晶圆代工,NAND Flash还是处于少量产出阶段,制程以70奈米、50奈米为主,未来规画将投入40奈米。

原本在NAND Flash技术上相对薄弱的尔必达,在买下飞索(Spansion)NAND技术资产之后,也规画在明年投入NAND Flash量产,2个月前已经先投入试产工作。

模组业者认为,NAND Flash制程从40奈米推进到30奈米,今年下半年就会有20奈米制程产品问世,在制程转换过程中,因为良率流失造成的次级品,会大量进入随身碟、记忆卡市场,而高容量的产品则会被SSD、智慧型手机锁定,高容量的供需状况会优于低阶产品。

预估2010年NAND Flash的应用中,以手持式装置、MP3以及UFD(USB Flash Disk)的占有率高居前三大,今年度的占有率预估为30.6%、24.5%、10.8%,其中手持式装置在未来3年堪称是NAND Flash应用的大热门,最近3年的占有率分别高达30.6%、28.9%、31.4%,高居各应用产品之冠。

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