经济部将以业界科专的政府经费补TIMC研发快闪记忆体双子星技术,最高补助比例可达计画总经费的四成。而TIMC也整合了茂德、翔准、与晶豪,共组研发联盟。
由于芯片厂商提高产量和PC厂商坚持反对价格进一步上涨的强硬立场,DRAM内存价格在今年6月出现了一年以来的首次下降。内存芯片价格下降对于每个购买新PC的用户来说都很重要,因为昂贵的DRAM内存芯片价格是PC价格在几年来首次出现上涨的原因之一。
韩国三星电子与尔必达内存分别就智能手机用DRAM战略发表了演讲。均表示,2010年内智能手机用DRAM将从现有的LPDDR型全面向 LPDDR2型转移。2011年包括智能手机在内的手机用DRAM的“20~30%估计会变为LPDDR2型”。
虽然部份供应商因为接获一些系统产品客户较为稳定的OEM订单,因而得以纾缓来自记忆卡客户淡季效应的影响,但为提振客户的采购意愿,供应商也采行价格促销策略,因此6月下旬64Gb以及32Gb MLC NAND Flash颗粒,合约价下跌约4%到6%。
力晶董事长黄崇仁表示,下半年制程技术会陆续导入63奈米和45奈米制程,持续降低DRAM生产成本,同时也会致力于提升非标准型DRAM比重,像是利基型内存(SDRAM)、LCD Driver等,寻求最最佳获利的产品结构;
台系DRAM厂陆续启动多角化产品线策略,近期茂德悄悄与钰创进行结盟,将在中科12吋晶圆厂为钰创代工高容量256Mb DDR2产品,采用72奈米制程,目前已进入试产。
经过金融海啸和上一波DRAM产业大崩坏的洗礼,各家DRAM厂都开始进行产品线的多角化布局,不再将全部的产能都集中在标准型DRAM上,否则与个人计算机(PC)的连结度过高,导致DRAM价格过度大起大落,DRAM厂营运的风险又再度提升,恐重演亏损恶梦。
华邦电子(2344)nor flash扮演今年成长主力,其余各项产品如gddr、mobile ram市况亦佳,法人估第二季、第三季业绩持续向上成长。
6月下旬储存型快闪记忆体 (NAND Flash)合约价出炉,市场主流的32GbMLC合约均价延续缓跌走势,下跌约5.66%。
被控操纵动态随机存取记忆体(DRAM)价格的茂矽和美光科技(Micron)等六家电脑记忆体制造商,已与美国33州达成和解,将缴纳1.73亿美元。
2012年之前、DRAM产业没有新厂量产,供需关系空前稳定,即使三星宣布巨额资本支出,然三星无意逼退台湾厂商,而是将新厂产能转往38奈米技术,拉高市占率至40%,台湾厂商若严控资本形成,逆转对抗三星的战略思考,没有厂商会被逼退。
连续惨赔3年的DRAM业,今年总算等到景气回春,尽管原本政府的再造计划喊停,但各家DRAM厂为求生存,已积极转型,过往以供应PC记忆体为主而随PC业荣枯的生存法则,现也被手机及消费电子市场的新应用推陈出新,而找到一条出路。
DRAM产业资本形成绝对要小心,不要借钱扩充造成负债,这让他学到教训;而黄崇仁也提到两岸间DRAM老早是没有税的问题,因此ECFA对DRAM产业的影响并不大,而是在经济部等政府单位的政策。
力晶黄崇仁表示,从今年起到2012年,DRAM产业的供需情况将会相当稳定,这也将是前所未有的情况。至于市场担心三星12吋新厂是否对于国内DRAM厂商带来冲击,对此,黄崇仁相当明确的表示,三星并无打击其他竞争对手的想法,台湾DRAM厂仍可以继续存活下去。
旺宏日前成功利用BE-SONOS技术研发出3D NAND Flash解决方案,未来将取代以Floating Gate技术为架构的NAND Flash内存,预计2014年可随着产业成熟度逐渐步入量产,届时旺宏在现存的NAND Flash产业4大天王中,可挤身