8月下旬DRAM合约价格续跌,其中1Gb DDR2合约价格跌至1.94至2.00美金区间,今年首次跌破2美金;而2GB DDR2内存的合约价格也跌至33-34美金区间内。
市场需求迟迟未见回春,DRAM现货价格再度陷入跌势,根据最新的报价显示,DDR3 1Gb品牌颗粒价格下跌0.08%,均价为2.43美元,DDR2 1Gb则力守2美元关卡。不过,反观原本跌跌不休的NAND Flash现货市场出现止跌反弹,合约市场则维持跌势。
据研究报告指出,记忆卡巨擘SanDisk Corp.的股价有偏高之嫌,主因未来几个月NAND型快闪记忆体(NAND Flash)价格恐将下滑。
虽然在美国液晶电视市场的领先优势遭到蚕食,但三星在DRAM颗粒高级制造工艺上的投资就得到了回报。根据二季度DRAM市场统计报告,三星在保持DRAM市场老大位置的同时继续扩大了自家市场份额。
在NAND闪存(以下,NAND)市场份额中占到近40%、排名首位的韩国三星电子与排名第二、份额超过30%的东芝联手合作。两公司开发完成了NAND用高速接口规格“Toggle DDR 2.0”,并已向JEDEC固态技术协会。
虽然目前固态硬盘(SSD)每储存单位成本仍较传统机械式硬盘(Hard Disk Drive;HDD)高出许多,但凭借着运作效能、耐震、节能与数据安全性等特性,从2009~2012年以高达72%的复合成长率向上成长;
根据报告显示,全球最大存储器业者三星电子(Samsung Electronics)在积极扩产动作下,2010年第2季的全球DRAM市占率再下一城,从上季的32.6%进一步攀升到第2季的35.4%市占率。
继欧美厂商之后,随著日圆升值,日系整合元件(IDM)大厂渐渐接受外包的可行性,预期未来欧、美、日等IDM厂将加速后段委托专业封测厂代工。
由于供货商因客户结构及接单状况不同,采取不同定价策略,使 8月上旬主流 NAND Flash 合约价呈现涨跌互见;针对电子系统客户进入旺季,供货商调高合约价,但记忆卡及UFD市场依旧疲软,则小幅调降合约价。
8月上旬DRAM合约市场中,DDR3 2GB合约均价从7月下旬的44美元下跌至42美元,跌幅约4.5%,由于DDR2在合约市场比重大幅降下,因此下跌约8.75%,到36.5美元。
PC买气回笼,不但推升全球DRAM需求量,也连带使DRAM价格持续走扬。数据显示,2010年第2季全球DRAM价格创下近2年新高。
动态随机存取记忆体 (DRAM)市场在第 2季呈现“爆发性”的成长,产业龙头三星电子 (Samsung Electronics Co.) (005030-KR)也进一步奠定了第一名的宝座位置。
因为产品价格下跌,下游OEM厂拿货的意愿增加,加上业者今年正值制程转换年,下半年制造成本大降,即使价格不佳,DRAM厂还是有获利空间,惊险度过下半年。
受到PC厂下修出货数字与库存水位增高影响,8月DRAM合约价持续走跌,据研究表示,在价格逐步来到合理范围下,使PC厂于下半年考虑调高DRAM搭载容量,预计第3季笔记型电脑平均记忆体搭载容量为3GB。
全球快闪记忆体产品领导厂商SanDisk (NASDAQ:SNDK) 今日宣布推出首款新类型嵌入式固态硬碟(SSD)。此款SSD的体积比邮票还小,且容量与效能皆高于现有的储存解决方案。