DRAM价走跌加持 Q4 PC记忆体搭载容量估增4.3%

存储器 中国闪存市场 Helan 2010-08-20 10:06
受到PC厂下修出货数字与库存水位增高影响,8月DRAM合约价持续走跌,据研究表示,在价格逐步来到合理范围下,使PC厂于下半年考虑调高DRAM搭载容量,预计第3季笔记型电脑平均记忆体搭载容量为3GB,第4季将攀升至3.13GB,成长幅度为4.3%。
根据最新价格显示,8月上旬DRAM合约市场中,DDR3 2GB合约均价从7月下旬的44美元下跌至42美元,跌幅约4.5%,由于DDR2在合约市场比重大减,因此下跌约8.75%,到36.5美元。
DRAM颗粒价格价格逐步下滑,但DRAM厂业绩与获利表现却没有受到影响,韩系厂商如三星与海力士的毛利率皆维持在40%以上,日商尔必达的毛利率也有35%,台系厂商如力晶上半年也交出获利破百亿元的成绩。
除了颗粒价格上扬外,其最主要贡献还是来自于制程上的转进,让颗粒成本可大幅降低,即使第4季产出量目前有供过于求的疑虑,但不至于会低于成本销售。
由于迈入50nm制程后,线径宽可比过往更缩小,各家不约而同皆以2Gb颗粒为生产主力,下半年将正式成为市场主流颗粒。而在成本上,40nm制程的2Gb颗粒成本约在1.0到1.2美元间,比起50nm制程成本,可降低约20%,跟60nm制程相比,更将近50%的成本价差,只要能快速转进先进制程,各DRAM厂的营业利益率(OP Margin)仍可维持获利空间。
在金融风暴过后,各DRAM厂在资本支出上更谨慎,不再盲目以扩产方式来扩大经济规模量并压低成本,现在各家厂商皆以提升自有技术、加速制程转进与快速提升良率,来降低成本并提升竞争力,韩系厂商转进速度最快,如三星的56nm与46nm制程皆已进入量产阶段,35nm制程更预定于第4季产出,将占第4季产出5-10%。
而日系厂商尔必达除使用微缩制程让现有63nm制程的颗粒产出量直逼50nm制程外,也放弃研发50nm制程标准型DRAM,直接跳入45nm制程,且预计第3季导入量产。
而属于尔必达子公司的瑞晶,目前已有2台浸润式机台移入,年底合计将有6台浸润式机台供45nm制程转进用,预计明年首季末瑞晶将全数转入45nm制程,成为尔必达生产标准型DRAM的生产重镇,力晶第4季也有2台浸润式机台移入,明年合计共有4台浸润式机台,足以供应力晶标准型DRAM转进。
而属美光阵营的南科与华亚科,南科预计于第3季末可将产能扩大至5万片,明年首季增至6万片,华亚科也正积极转换制程当中,预计第4季初可全数转至50nm制程与少量40nm制程,届时产能也将回复至13万片,产出量大幅度的提升将在明年首季涌现。

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