三星在56奈米、46奈米制程迈入成熟期,产量大举开出之下,明年市占率可望从目前约3成多水准,提高至40%,同时35奈米制程开始交货,明年制程将领先同业至少一个世代。
未来将部分取代Netbook,加上智能型手机掀起内嵌式内存应用,对于NAND Flash产能消耗量相当可观,吸引众家NAND Flash大厂2011年都有扩产计划,以因应终端需求大爆发。
九月上旬合约价持续下跌趋势,DDR/2GB合约均价从40美元下跌至36美元,跌幅达10%,为一年来单次最大跌幅,DDR2合约价亦受到DDR3价格影响,下跌约2.8%,来到35美元价位。
USB介面成为成PC连接周边装置的主流,而USB开发者论坛的成员包括惠普(HP)、英特尔(INTEL)、微软(Microsoft)、NEC、德州仪器(TI )和ST-NXP Wireless共同制订,之后也从USB 1.0规格进展至USB 2.0规格,传输
存储器在我们的生活中,应用已经十分广泛,旺宏电子谢光宇处长在演讲一开始就指出,包括手机、笔记型计算机和USB、MP3播放器、可戴式Gadget、电子宠物等,都使用了20GB到100GB不等的存储器,存储器应用无所不在。
多媒体影音档案体积愈来愈大,如何提供产品更快速的访问速度,已是产品开发业者必须克服的问题。USB 3.0因为传输带宽较USB 2.0增加10倍,再加上USB 2.0过去袭卷市场的威力,成为业者一致认同的产业发展方向。
内存模块龙头厂金士顿(Kingston)加入USB 3.0战局,推出第1款USB 3.0随身碟产品,主打高容量市场,以及需要高速传输大档案的消费者,同时也强调向下兼容的便利性。市场对于金士顿加入USB 3.0战局均寄予厚望。
在厂商出面信心喊话下,昨天DRAM出现全面性跌深反弹。法人认为,目前DRAM股股价修正幅度已大,跌深后反弹应可期待,不过由于中长天线均线皆是上档反压,操作宜短打为主。
力晶(5346)董事长黄崇仁为DRAM产业多头打气,表示DRAM价格第4季可望落底,今天DRAM以及模块跌深股均受到激励。
试图尽快降低生产成本,以抵御价格下滑、压缩利润的压力,旺宏快速从110奈米直接跳到75奈米制程,华邦也将从90奈米跳到58奈米制程,微缩速度之快,实在相当惊人。
DRAM价格起跌以来,已经跌逾17%,预计9月底通路或是OEM厂库存将低于平均值,DRAM价格第4季可望落底。
旺宏上半年制程以0.13微米为主轴,同时也提升0.11微米制程的比重,日前更宣布原本2011年才会量产的75奈米制程提前1季量产,预计于2010年第季4问世;而2011年更将快速转进57奈米制程。
DDR3 1Gb即将面临2美元的保卫战,虽然DRAM厂商均回应不需过度悲观,但是供过于求已成事实,加上终端需求未见明显回温,第四季难逃再跌的命运。
苹果iPhone 4在台湾正式开卖,其采用嵌入式NAND Flash记忆卡的设计,将带动未来手持产品设计风潮,且预估该需求在2011年可见高成长动力,其中手机将占NAND Flash的使用量比重达40%以上,该市场趋势亦带动目前记忆卡IC设计群联(8299
三星电子(Samsung Electronics Co.)董事长李健熙担忧明年面板、半导体有供过于求的疑虑,三星先前已对存储器产业景气看法转趋保守,第四季DRAM价格可能持续下滑,台DRAM厂股价仍走疲,成为弱势族群。