DRAM跌逾17% Q4可望落底

存储器 中国闪存市场 Helan 2010-09-21 08:45
DRAM产业利空袭击,在南科(2408)即将办理现增之际,三星又释出偏空讯息,颇有阻挠台系厂商筹措资金企图,力晶(5346)董事长黄崇仁昨(20)日表示,DRAM价格起跌以来,已经跌逾17%,预计9月底通路或是OEM厂库存将低于平均值,DRAM价格第4季可望落底。
黄崇仁表示,这波价格下跌虽然提早来临,但是并没有供给过剩的问题,由于各家厂商技术转型并不十分顺畅,良率无法有效提升,在无法通过OEM客户认证之下,直接在现货市场倒货,造成现货市场的价格压力,事实上目前OEM出货仍旧正常,只是价格有压力。
黄崇仁也分析库存状况,目前无论是通路或是OEM厂商已经有效消化库存,到9月底为止,各家厂商库存将低于平均值,需求面有大陆十一的买气推升,因此黄崇仁预估,第4季跌幅最多15%至18%,且呈现缓跌的状况,等于从这一波起跌以来,价格合计下跌约30%,跌幅已达满足点,加上库存已经下降,DRAM价格可望落底。
目前一条2G的DRAM模块价格约36美元至37美元,依此跌幅推算,价格将跌至30美元至32美元,等于DRAM颗粒价格从每颗2.1美元跌至1.75美元至1.85美元之间,以力晶的成本结构推算,下半年还是获利。
正当南科积极筹措资金之际,三星又释出明年DRAM市况不妙的利空讯息,黄崇仁认为三星颇有趁势阻挠筹资的意图,但是从战略角度来看,三星目前在面板、手机、TV、Flash的价格均面临压力,DRAM是最主要的获利来源,基于获利维持领先的前提,三星会力求支撑DRAM价格。
黄崇仁认为,这一波景气循环没有产能过剩的问题,自然不会出现崩盘或是减产窘境,明年的景气则需视全球景气状况,如果景气好,一条DRAM模块的容量会从2G升级成4G,以40纳米生产2G的成本将会达2.5美元至3美元之间。

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