USB 3.0题材发烧,目前市场上询问度最高的是外接式硬盘盒,除了硬盘原厂之外,内存模块厂也陆续投入外接式硬盘盒市场,包括创见、威刚、劲永、KINGMAX等;
尽管英特尔(intel)已宣布2012年22奈米Ivy Bridge世代才会内建USB 3.0芯片,然在技嘉、华硕积极导入下,USB3.0世代提前来临,包括瑞萨电子(原NEC电子),以及华硕子公司祥硕、威盛扶植的威锋及钰创等厂全力抢进,但因台厂迄今全数仍未
内存模块厂创见旗下产品线分为DRAM模块、NAND Flash产品和策略性产品,其中NAND Flash产品包含随身碟和快闪记忆卡,策略性产品包含行动硬盘、卡片阅读机、MP3播放器、数字相框等。
日系存储器大厂尔必达(Elpida)虽然预期2010年第2季(7~9月)财报较2009年同期大幅增加,但相较上季却是明显缩水,主要还是受到个人计算机(PC)市场需求不振的影响,未来尔必达在标准型DRAM产品在线,将越来越依赖台系DRAM合作伙伴的产能奥援,
根据调查,全球DRAM产业2010年第三季营收季成长仅达3.4%,龙头三星市占率逆势劲扬至四成,台系厂则以力晶 (5346) 业绩表现较佳。预期第四季DRAM跌幅将增大至30%以上,价格可望在明年第一季或第二季落底,DRAM厂在明年上半年资本支出可能将保守
受惠于标准型DRAM业绩上扬及撙节成本策略奏效,日本DRAM厂尔必达(Elpida)发布的财测数据显示,2010年度上半(2010年4~9月)将可望顺利由亏转盈,税后盈余达395亿日圆(约4.9亿美元),成为历年来半年报获利表现最佳。
DRAM模块价格亦重挫14%,不仅合约价下挫,昨日现货价格也呈现大跌走势,跌势集中于品牌颗粒,DDR3 1Gb与2Gb价格分别大跌4.37%、8.03%,由于跌势未止,预估,第4季DDR3的模块价跌将大跌3成。
近期DRAM市场需求持续不振,本季价格仍难逃下跌压力,DDR3跌幅可能高达30%。法人认为,DRAM价格疲弱,将使力晶(5346)、南科、华亚科等公司本季营运再陷入苦战。
2010年曾经因为NOR Flash芯片大缺货,带动MCP(Multi-Chip Packaging)芯片供货同步吃紧,MCP芯片是因应手持式产品而设计的产品,国际大厂早已耕耘已久,这次搭上智能型手机风潮再度引起旋风,算是时势造英雄!
三星电子(Samsung Electronics)半导体事业部社长权五铉出席第3届半导体日活动时对记者表示,目前正在建设中的京畿道华城内存半导体工厂16产线建置日程,可能视情况进行调整。
据报导,三星电子(Samsung Electronics)2010年第3季在包含DRAM的内存半导体市场上再度写下了业界最高纪录,蝉联第1名。海力士半导体(Hynix)第3季也达到30%以上营益率,压倒性胜过其他半导体竞争业者。
DRAM模块厂第三季获利全部出炉,从品牌厂的表现来看,以宇瞻(8271)获利逆势较第二季成长27%的表现最为突出,累计前三季EPS达2.62元,亦仅次于创见 (2451)2.79元。至于劲永(6145)饱受跌价损失之苦,亏损情况严重扩大,累计前三季以每股税
10 月下旬储存型闪存 (NAND Flash)合约价,尽管目前市场需求已逐步回温,但是NAND Flash合约价走势依然疲弱不振,续创今年新低价。
10 月下旬动态随机存取内存 (DRAM)合约价出炉,因市场依然严重供过于求,冲击合约价持续滑落,跌幅高达15%。DDR3 2GB的合约均价从31.5美元下跌至27美元,跌幅达14.3%,低价成交价更下探至26美元价位,跌幅更高达15.2%。预估,今年年底
DDR3 2Gb上周五(10月29日)的现货报价出现崩跌情况,最低点甚至跌破3美元、来到2.9美元,均价为3.26美元,跌幅高达13.01%之多,DDR3 1Gb、DDR2 1Gb报价亦同步呈现跌势。