全球DRAM Q3营收仅季增3.4% 三星市占率达4成

存储器 中国闪存市场 Helan 2010-11-02 13:31
根据调查,全球DRAM产业2010年第三季营收季成长仅达3.4%,龙头三星市占率逆势劲扬至四成,台系厂则以力晶 (5346) 业绩表现较佳。预期第四季DRAM跌幅将增大至30%以上,价格可望在明年第一季或第二季落底,DRAM厂在明年上半年资本支出可能将保守以对。
全球DRAM产业第三季营收达108亿美元,虽然DRAM总产出量较第二季约成长15%,但由于第三季合约价跌幅超乎预期,与第二季营收104亿美元比较,仅微幅成长约3.4%。
第三季DRAM合约价受到DRAM产出增加与PC需求旺季不如预期影响,DRAM价格呈现下滑走势,第三季DDR3 2GB合约均价为40美元,较上季的46美元下滑约13%,现货市场DDR3 1Gb eTT颗粒均价则较上季下跌18%至2.27美元,DDR2 1Gb eTT则下跌约16%。
NAND Flash合约方面,NAND Flash合约价跌至今年新低,但跌幅较DRAM和缓。主要是因需求不强,以致NAND Flash(储存型闪存)合约价续跌,创今年新低,但平均跌幅在一成之内,相较DRAM的跌势缓和。
另一方面,NAND Flash价格适度滑落,有利刺激下游客户年终假期备货需求回温,短期NAND Flash价格可望逐斩趋于稳定,部分规格则是呈现缓跌。预期NAND Flash至年底前持平至缓跌,DRAM价格则是弱势探底为主,对模块厂第四季营运仍不利。
从全球DRAM厂自有品牌内存营收排名来分析,韩系厂商三星营收仍居全球DRAM厂之冠,与第二季相比成长21.9%,营收成长贡献来自DRAM产出增加20%以上,DRAM均价微幅上扬,DRAM之市占率由第二季的34.3%大幅成长至40.4%。海力士的DRAM市占率则微幅下跌,由上季之21.6%下跌至19.8%, 主要因为46nm良率提升不如预期,DRAM产出仅增加2%,均价下跌9%所致。日系厂商尔必达,第三季营收与第二季相比下降约9.4%,市占率也由18.4%下降至16.1%,主要在40nm制程上转进仍居初期,产出仅微幅成长。美国的美光第三季营收下跌约10%,市占率也下跌,由13.8%下跌至12%;主要在华亚科 (3474) 制程转换,投片及产出减少,因此美光本季DRAM产出减少12%,DRAM均价也微幅下跌。
在台系厂方面,南科 (2408) 第三季营收下滑约5.2%,虽然来自华亚科 (3474) 的产出减少,自有DRAM产出成长率在50nm转进及投片增加下,总销售位本季成长14%,但DRAM销售价格下跌15%,市占率由4.5%微幅下降至4.2%。力晶 (5346) 为台系厂表现最佳的厂商,第三季营收为2.75亿美元,与第二季相比上升12.9%,来自63nm制程比例增加及良率提升。华邦电 (2344) 虽然第三季营收比第二季下滑2.7%,但由于华邦已经淡出标准型内存市场,较不受此波DRAM价格下探影响,对于后续表现仍可抱持谨慎乐观的态度。
由于DRAM价格自第三季开始急速下滑,DRAM厂纷纷对未来资本支出转趋保守,如三星Fab16的建设,将视未来市场状况做调整,台系厂如力晶 (5346) 亦下修资本支出约20%至160亿台币,日台合资的瑞晶 (4932) R2厂扩厂计划也延后讨论。预估此波DRAM价格下跌,第四季跌幅将增大至30%以上,价格可望在明年第一季或第二季落底,DRAM厂可能在明年上半年资本支出将保守以对。

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