日厂东芝(Toshiba) 9日宣布2010会计年度第2季(2010年7~9月)财报,由于平板计算机(Tablet PC)、智能型手机(Smartphone)及其他电子装置带动对东芝内存需求,东芝第2季净利达到273.5亿日圆(约3.38亿美元),与200
2010年内存版图不断重整,美系内存大厂美光(Micron)年初闪电吃下NOR Flash大厂恒忆(Numonyx),NOR Flash产品线、相变化内存(Phase-Change Memory;PCM)技术全都入袋,产品齐全度直逼三星电子(Samsung
近期美光(Micron)更出面宣示主权,全力巩固地盘,强调凭借其在DRAM、NAND Flash和eMMC的完整内存产品线优势,对于布局车用内存领域相当有信心,美光更推出最新采用65奈米制程、512Mb容量的车用NOR Flash产品,目前已在送认证阶段,
2010年DRAM整体营收成长80%,是有史以来最好的一年,就明年的内存产业发展,明年恐出现供过于求,明年半导体产能虽可成长5%,但DRAM整体营收将较今年下滑20%。
据报导,三星电子(Samsung Electronics)已较其他竞争公司更具优越的成本竞争力,但在2010年第4季将持续调降DRAM价格,且计划于2011年下半推出20奈米制程产品,欲独霸DRAM市场。
慧荣2010年除了在TLC技术上领先外,明日之星产品如固态硬盘(SSD)和内嵌式内存等,其控制芯片对营运的贡献都明显成长,合计较上季成长将近30%,占整体营收比重也达10%。
封测厂包括京元电子、欣铨科技、硅品精密、力成科技、华东科技和福懋科技等陆续公布10月营收。逻辑IC封测大厂硅品、晶圆测试厂京元电和欣铨科技实绩呈现走跌,同时对第4季景气以持平或下滑看待。
随着DRAM和NAND Flash市场价格持续崩跌,不仅上游DRAM厂营收纷呈现大幅衰退情况,下游内存模块厂亦受到牵累,10月营收亦持续下滑,其中,威刚10月营收较9月减少达17.1%。威刚表示,预期11月营收将因为产业景气进入淡季,而持续呈现衰退景况,公
储存型快产内存(NAND Flash)控制IC大厂慧荣昨(4)日公布第三季营收、毛利率双双上扬,目标本季营运维持今年以来每季都成长的走势,淡季不淡。
全球第三大DRAM厂尔必达(Elpida)本月起减少标准型记忆体产出三成,力晶有意跟进,将使得市场供给缩减、提振价格,最快明年第一季价格可反弹,让DRAM业者拥抱春天。
连日来DRAM价格暴跌,加上日圆汇率创下15年来新高,让日系制造商喘不过气来,尔必达(Elpida)社长土反本幸雄昨日在电话会议上宣布,从11月开始,调降PC用DRAM产能,月产能从23万片降至17万片,减产幅度将近30%,成为第一家施行减产的DRAM大厂
台系DRAM厂力晶10月营收受到报价崩跌影响,没有守住新台币60亿元大关,自结为58.56亿元,较上月75.19亿元减少达22%;力晶发言人谭仲民表示,公司内部已开始进行产能配置的调节,将增加晶圆代工比重,同时降低标准型DRAM产品的业务比重,且加速导入4
DRAM价格再度崩盘,尔必达(Elpida)除了先前宣布瑞晶的12寸晶圆厂扩建案将延宕之外,也开了减产第1枪,将减产PC用和手机用的DRAM芯片,近期市场也传出尔必达在茂德12寸晶圆厂的代工产能暂缓投片,茂德则解释是设备延宕之故导致年底投片目标降低;
三星电子(Samsung Electronics)投入总金额12兆韩元(约108.36亿美元)于京畿道华城市增设的半导体厂,决定将先提供快闪存储器(NAND Flash)量产使用。据韩国电子新闻报导,三星预计于2011年初完工的半导体华城厂16产线,将于2
由于DRAM价格再度崩跌,原本财务体质就相当孱弱的台厂再度面临难关,DRAM产业整并潮恐再次启动,但业者预期这次参与整并成员将单纯许多,美光(Micron)阵营的南亚科和华亚科在台塑集团财务支持下,已走出自己的路,不过,力晶、茂德、瑞晶合计26万片12吋产