全球DRAM明年产值掉2成 台厂又苦了

存储器 中国闪存市场 Helan 2010-11-09 08:24
2010年DRAM整体营收成长80%,是有史以来最好的一年,就明年的内存产业发展,明年恐出现供过于求,明年半导体产能虽可成长5%,但DRAM整体营收将较今年下滑20%,仅322亿美元,ASP也恐降至1.2~1.4美元/Gb的低水平,而另一方面,智能型手机则推升Mobile DRAM需求,而智能型手机等行动装置所兴起的云端应用,则将带动Nand flash的成长。
台湾半导体业者由于贴近亚太等新兴国家市场,除可积极发展高阶产品外,也可仔细观察新兴市场需求与动态,朝向开发兼具低成本及符合新兴市场特性的产品发展。
预估,今年全球半导体产业产值年增率达30%,创下10年来新高,不过明年受到个人电脑(PC)产业成长趋缓、基期垫高影响,成长力道减缓至5%,行动通讯产品可望成为支撑产业成长的主要动能,占总体半导体比重将从今年的26%提升至30%,Mobile DRAM和NAND Flash的重要性,也将随着智慧型手机等行动通讯产品兴起而与日俱增。
不过,DRAM产业前景没有这么乐观。2011年的DRAM产业只有Samsung等具有成本优势之国际大厂可能获利,对于负债比仍高的台厂来说,2011年又将是艰困的一年。例如无财团支撑的茂德(5387),除冀望Elpida或政府伸出援手外,恐别无他法。
另一方面,近年为满足智能型手机等行动运算装置使用需求,使得Mobile DRAM这类具有独特省电特性的内存应运而生,而追求轻薄短小的手机也为内存带来新挑战,不仅耗电量要低,更要在有限空间内达到最大容量,只有采用最先进制程,才能符合所有的要求,故Mobile DRAM可望成为引领高端制程的新力量。
Mobile DRAM不仅具备省电特性,最终产品型态也不同于一般内存模块。Mobile DRAM通常采用裸晶配合NAND Flash进行MCP封装,或采用PoP(Package-on-Package)封装,再与Application Processor堆栈组装。无论裸晶圆测试或MCP封装都必须有完整的配套,台湾DRAM产业应即早切入,发展出完整供应链,才能在Mobile DRAM市场占一席之地。
而行动云端运算新趋势兴起,智能型手机等行动装置可实时将时、空、影、音等各项信息提供给数据中心中的云端服务器进行运算,以取得最佳结果,Mobile DRAM、NAND Flash在过程中将扮演更加重要角色,因此两者占整体内存的比重也将逐渐增加。
虽然NAND Flash需求量大,但由于各大NAND Flash厂纷纷透过扩产、制程微缩及采用部份TLC颗粒等三种方式来抢攻市占率,预估2011年将有微幅供过于求的状况,但价格可望维持一定水平。
在SSD部分,预估2011年开始采用2xnm MLC颗粒单位价格将降至与目前Server级硬盘(1美元/GB)相近水平,再配合先进ECC、Wear Leveling等技术延长使用寿命至服务器等级,可望大幅度提高SSD在服务器市场使用率。但由于SSD与PC/NB用硬盘仍存在相当大的价格差异(SSD单位价格约1美元/GB,PC/NB用硬盘仅0.1美元/GB),所以SSD在NB中的运用将仍将集中在1,500美元以上的中、高阶机种。

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