三星电子(Samsung Electronics)投入总金额12兆韩元(约108.36亿美元)于京畿道华城市增设的半导体厂,决定将先提供快闪存储器(NAND Flash)量产使用。据韩国电子新闻报导,三星预计于2011年初完工的半导体华城厂16产线,将于2011年下半开始优先量产快闪存储器。
2010年5月在三星会长李健熙的参与下,华城厂16产线正式动工。包含建筑物费用等将阶段性投入12兆韩元进行建设。三星半导体16产线以12寸晶圆为基准,每月最大产能可达20万片以上。
三星将优先在16产线进行快闪存储器生产作业,是因为近来计算机需求萎靡,且进入第3季后DRAM价格持续下跌,而快闪存储器则搭上智能型手机(Smartphone)和平板计算机(Tablet PC)畅销热潮,需求也随之增加。
海力士(Hynix)曾对外表示2011年DRAM产能将维持与2010年相同水平,仅在微细制程转换上进行投资。然而至2010年底月产能约8万片的清州快闪存储器专用M11产线,仍将于2011年扩大产能至12万片,也是为呼应此市场趋势。
三星目前运用华城厂14产线及美国德州奥斯汀厂生产12寸晶圆制造快闪存储器,华城厂12产线则混合生产DRAM和快闪存储器。此外三星在器兴厂的9产线则以8寸晶圆量产快闪存储器。
韩国业界相关人员表示,若三星将既有的快闪存储器产线转换成微细电路制程,约可创造50~60%的位元成长率(Bit Growth),但以三星2011年达到80%位元成长率的目标,在执行面上则有困难。因此势必将目前兴建中的16产线转生产快闪存储器,才可能达到80%的目标值。