车用NOR Flash等级分为很多种,过去10年来车用NOR Flash市场主要都着重在引擎相关的应用,此块算是高阶市场,如引擎、安全系统等应用,对于质量和技术要求相当严谨,通常要打入品牌车厂的供应链,光是送样做认证的程序,只少要花上3年功夫。
随制程技术下探25奈米,储存型快闪(NAND Flash)记忆体将面临读写次数短缩的问题,必须提升错误码修正(ECC)能力来化解疑虑。对此,美光(Micron)提出不同产品设计架构,将自行开发的ECC晶片与NAND Flash封装在一起,藉此强化NAND
群联(8299)受惠日本记忆体大厂东芝(Toshiba)传出跳电事件,恐影响未来2个月储存型快闪记忆体(NAND Flash)达2成。法人预期,将有利支撑NAND Flash报价,群联上周股价试图挑战前波高点178元未果,股价压回10日均线附近。
2009年第2季全球景气在历经金融海啸冲击后自谷底逐季攀升,DRAM价格亦伴随景气回复同步自谷底走扬。
苹果(Apple)的iPad大成功之下,各种iPad-like纷纷问世,炒热平板计算机市场,这是NAND Flash大厂垂涎的庞大商机,为了加速PC厂导入NAND Flash应用,各种新技术陆续问世!
展望2011年NAND Flash市场概况,三星和东芝都有扩产的计画,三星兴建的Line-16新厂房预计将以NAND Flash产品为主,东芝与快闪记忆卡龙头大厂新帝(SanDisk)合资兴建的Fab 5,也预计在2011年投产。
华邦电子(2344)昨(16)日召开董事会,决议核准明后两年资本支出预算,估计明年约29.38亿元、后年仅9.36亿元,合计38.74亿元,用以扩充46奈米DRAM及58奈米NOR快闪记忆体产能。华邦表示,目前中科12寸厂月产能约3.7万片,短期不会再增加
今年竹科六大产业一片荣景,唯独半导体的DRAM业,因为市场合约价和现货价一路走跌,目前已跌破成本,和年初比较起来,价格几乎是腰斩。
动态随机存取记忆体(DRAM)产业景气急转直下,台湾创新记忆体公司(TIMC)董事长宣明智表示,DRAM产业黄金救援时机已过,未来TIMC将专注开发NAND Flash技术。
存储器大厂包括三星电子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)和东芝(Toshiba)等都陆续发生过停电事件,对于下游客户而言,通常是忧喜参半;一般而言,停电后1周内,存储器报价都会以上涨反应,有时甚至只涨1~2天,之后就回归平静,
金字塔等级的固态硬碟(SSD)市场大饼人人垂涎,东芝日前正式推出新款企业用SSD产品MKx001GRZB系列,采用32奈米制程的SLC(Single-Level Cell)型NAND Flash芯片,预计2011年第1季送样,紧接著进入量产;
尽管可享有既有库存涨价利益,但终端成本增加,却不可能一次涨价转嫁给消费者,否则将抑制需求买气,只能逐步调涨价格,并预期这一波NAND Flash价格止跌反弹可望持续到2011年第1季。
云端浪潮推动企业端迎向高速传输、高效能的储存装置。市场调查机构Gartner预估,6Gbit/s序列式SCSI(SAS)将于未来两年内全面取代 3Gbit/s SAS,并在2014年与序列式先进附加介面(SATA)割据企业储存市场;
DRAM的春天似乎还有得等!德意志证券出具报告指出,DRAM价格及获利下滑的现象,至少将持续到明年首季,在目前股价净值比,仍高出历史低点水准下,重申卖出南科及华亚科,目标分别为9.5元及10.5元。
半导体零组件通路商至上(8112)主要代理线内存产品,受到上周Toshiba日本厂传出跳电消息影响市场供给,除带动NAND Flash现货价格上扬、出炉的12月上旬合约价亦同步走扬1%至5%;