2009年第2季全球景气在历经金融海啸冲击后自谷底逐季攀升,DRAM价格亦伴随景气回复同步自谷底走扬。
2006年以来,包括台、美、日等DRAM厂即因DRAM价格持续下跌而处于长期亏损窘境,在金融海啸期间,更因不耐景气严寒,除削减资本支出,停止原先扩厂计划外,亦先后采取减产、裁员、关厂等策略因应,为的就是保有手中现金部位。
至2009年第4季前,DRAM厂商对景气展望仍相当保守,加上缺乏足够现金部位提供购料投片,即使面对来自PC市场需求逐季升温,DRAM供给增加亦相对有限,这也是DRAM价格自2009年第2季至2010年第2季得以维持将近5季荣景的重要原因。
然而,2010年第2季以来,先有三星电子(Samsung Electronics)宣布26兆韩元的投资计划,率先将30奈米制程导入量产,并大幅扩充记忆体产能,加上欧债风暴影响,来自PC市场对DRAM的需求顿时减弱,两大因素亦使得DRAM价格加速下滑,1Gb DDR3现货价从2010年第2季3.08美元跌至2010年第4季1.16美元,跌幅达62%,且至12月都尚未见到止跌回稳的迹象。
事实上,除三星外的主要DRAM厂在产能扩充的脚步都显得相当保守,但随先进制程占产出比重提高,产能依然出现明显成长,以65奈米制程升级至50奈米制程,产能即可增加50%。从50奈米制程转换至40奈米制程,产能将更进一步成长45%。
包括美光、南科、华亚科、瑞晶、尔必达等DRAM大厂,45/40奈米制程产能将于2011年大量开出,且先进制程占营收比重将会逐季提高,这意味着2008年下半以来DRAM控制产能扩张的时期将告一段落,转而进入透过制程升级来扩张产能的新时期,这也将会是影响2011年全球DRAM市场景气荣枯的最关键因素。