华邦电子(2344)昨(16)日召开董事会,决议核准明后两年资本支出预算,估计明年约29.38亿元、后年仅9.36亿元,合计38.74亿元,用以扩充46奈米DRAM及58奈米NOR快闪记忆体产能,同时也通过间接转投资中国大陆子公司华邦集成电路(苏州)约900万美元,负责DRAM销售及售后服务。华邦表示,目前中科12寸厂月产能约3.7万片,短期不会再增加新产能,但要冲刺制程微缩增加产量。
华邦朝「轻投资、高利润」策略发展,昨日董事会中通过未来两年资本支出合计38.74亿元,算是已公布明年资本支出的本土记忆体晶片厂中,投资金额最小的业者。华邦并没有扩充产能计划,而是要利用制程微缩,达到单片晶圆切割出更多颗粒,来增加记忆体产量并降低单位生产成本。
华邦转型发展非标准型记忆体,主要是与日本尔必达合作。华邦目前主力制程为65奈米,明年将导入尔必达46奈米制程生产2Gb DDR3,等良率到达一定水准后,就会转向生产256Mb以上非标准型DRAM,其中包括了绘图卡用GDDR产品。至于NOR快闪记忆体部份,预估主流制程将由现在的90奈米,至明年提升至58奈米。
对于DRAM后市,华邦电发言人温坚表示,“明年应该不会像今年一样坏了”,明年首季为DRAM产业传统淡季,大约在第2季就可望开始好转。
而在NOR Flash部分,温坚认为,今年下半年市场忙着消化库存,目前来看应该去化的差不多了,明年状况应该也不会太差。
华邦因为产品线多以利基型为主,所以近来标准型DRAM价格大跌,华邦受伤情况较轻,11月合并营收31.69亿元,较10月小增0.3%,更是本土记忆体晶片厂中少数逆势成长的公司之一。
华邦现在非标准型记忆体比重已大于95%,今年第3季每股净利达0.96元,第4季目前看来仍可维持获利。