近期NAND Flash大厂纷以东芝(Toshiba)跳电、供给缺口扩大为理由,大举向客户调高合约报价,其中,主流32Gb容量芯片涨幅最大,达5~11%,不过,模块厂对于NAND Flash涨价却是喜忧参半,模块厂表示,尽管可享有既有库存涨价利益,但终端成本增加,却不可能一次涨价转嫁给消费者,否则将抑制需求买气,只能逐步调涨价格,并预期这一波NAND Flash价格止跌反弹可望持续到2011年第1季。
东芝突然发生跳电事件,打乱NAND Flash市场一池春水,近期国际存储器大厂向客户预告2011年第1季供给缺口会扩大,并调涨NAND Flash合约报价,且涨幅颇大,以新出炉12月NAND Flash合约价来看,主流容量32Gb芯片上涨最多,涨幅高达5~11%,其次是16Gb容量芯片上涨3%,至于32Gb芯片亦小幅上扬,业者预期这一波NAND Flash合约价调涨可望持续至2011年1、2月,但后续涨幅将逐渐收敛。
模块业者表示,NAND Flash供应商纷藉由东芝跳电事件来调高芯片合约价格,然2011年第1季NAND Flash市场缺口是否真有这么大,其实还需要再观察,况且现阶段影响NAND Flash市场需求关键,已不在于零售端的记忆卡、随身碟产品,而是在系统厂平板计算机及智能型手机等热门产品需求。
模块业者认为,这一波平板计算机市场大战相当热烈,若整个市场热潮可延续下去,2011年第1季NAND Flash需求应不会太差,加上中国农历春节前的大陆补货效应,预计这一波NAND Flash好光景应可持续至2011年初。
值得注意的是,下游模块厂对于NAND Flash大厂调涨合约价是喜忧参半,喜的是厂商将可享有既有库存涨价利益,尽管2010年存储器市况并不好,模块厂纷压低库存水位,但相较于存储器厂避之唯恐不及的DRAM芯片,各家业者既有库存主要仍集中在NAND Flash身上,因此,模块厂将受惠于上游厂调涨NAND Flash价格,享有库存利益。
不过,NAND Flash芯片价格大涨,终端成本增加,下游厂却不可能一次涨价转嫁给消费者,否则将抑制需求买气,因此,从东芝跳电至今,记忆卡和随身碟价格顶多小涨3~5%,先试试终端市场反应,未来若NAND Flash芯片价格续涨,模块厂势必会持续调涨报价。