年中库存盘点,导致上周NAND闪存现货市场需求下降,整体价格保持稳定;DRAM上周交易仍然有限,需求疲弱

NAND闪存的现货市场上周( 6月22-26段)持续疲弱,市场焦点主要集中在英特尔的34nm芯片,而合约价大致呈现持平或小跌的情况,近期NAND Flash市场呈现胶着盘整的状态。

DDR2 1Gb eTT本周现货价格上扬逾5%,唯成交反应清淡;季底效应与淡季因素,NAND Flash价格呈现部份持平与部分回软的走势

NAND flash 市场上周价格整体表现平稳整,体需求较弱,买气不足;DRAM上周现货市场价格急剧下跌

Computex Taipei 2009展后评析,从新产品展望未来DRAM之发展

全球DRAM业第一季受到价格下滑与减产影响,季营收较上季下滑逾二成,市场占有率仍以韩国三星、海力士分居前两名

由于供应商控货,加上客户以及中国手机市场需求, 4月下旬主流 MLC NAND Flash(储存型快闪记忆体) 合约均价大致上涨 8-18% ,预期5月上旬主流的NAND Flash MLC 合约均价可望再上涨约 5% 以上。

DDR2 1Gb eTT颗粒价格自2月20日大涨逾10%至0.96美元后,经过短暂的持平走势,上周(02/24-03/02)颗粒价格再次呈现下滑的走势

DRAM :现货颗粒价格上周上涨逾10%,二月下旬合约价格表现持平

4Q08 在金融风暴的影响下,使得传统旺季需求出现远不如预期的情况,迫使 NAND Flash供货商在业绩及库存的双重压力下,而采取了持续降价的策略来去化库存及刺激买气,因此4Q08 NAND Flash ASP约比3Q08下跌32% QoQ,由于终端产品

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上市公司

数据有延时,01-14 18:46
存储原厂
三星电子 KRW 140300 +1.96%
SK海力士 KRW 742000 +0.54%
铠侠 JPY 13280 -2.96%
美光科技 USD 338.130 -2.24%
西部数据 USD 214.000 +0.88%
闪迪 USD 389.810 +0.14%
南亚科技 TWD 236.5 +2.83%
华邦电子 TWD 99.8 0.00%
主控厂商
群联电子 TWD 1775 +0.28%
慧荣科技 USD 113.560 -1.53%
联芸科技 CNY 50.52 -0.49%
点序 TWD 116.0 +9.95%
品牌/模组
江波龙 CNY 284.75 +2.99%
希捷科技 USD 318.440 -0.95%
宜鼎国际 TWD 645 -0.15%
创见资讯 TWD 240.5 +0.42%
威刚科技 TWD 273.5 +2.43%
世迈科技 USD 20.150 +3.92%
朗科科技 CNY 28.46 +0.99%
佰维存储 CNY 145.90 +7.77%
德明利 CNY 238.98 +2.57%
大为股份 CNY 28.39 -1.97%
封测厂商
华泰电子 TWD 59.2 0.00%
力成 TWD 251.5 +3.93%
长电科技 CNY 41.98 -0.52%
日月光 TWD 294.5 +1.73%
通富微电 CNY 40.92 +1.49%
华天科技 CNY 11.69 +0.09%