本周(9-21—9-25)9月下旬主流MLC NAND Flash合约均价小涨1%到3%,9月下旬NAND Flash合约价呈现部份上涨及部份持平的状况。

虽然NAND Flash需求吃紧消息频频报道,但是NAND Flash报价继续保持稳定,除了低密度Flash产品报价呈微幅上扬以外,其他的价格没有太大的波动。

受惠旺季库存回补需求增温,9月上旬主流的MLC NAND Flash合约均价大致上涨3-12%。 目前多数NAND Flash供应商接获电子系统客户的年终旺季备货订单,同时9月初记忆卡以及随身碟(UFD)需求也在中国十一长假前的库存回补带动下回温。

本周(8月31日至9月4日)NAND闪存现货主流密度的NAND闪存价格的需求有着明显的增长。9月的NAND快闪记忆体市场看法偏向乐观。

本周(8.24—8.28),NAND Flash合约价大致呈现高容量颗粒持平及低容量颗粒小涨。今年第 3 季一些供应商接获手机及MP3 系统客户的高容量应用订单,将随着旺季接近而逐渐加温,因此 8月下旬高容量颗粒的 NAND Flash 合约价,在多空因素

美国国际贸易委员会(ITC)24日发布新闻稿宣布,将调查数家制造或使用某些特定NAND型快闪记忆体(NAND Flash)的企业是否侵犯BTG International, Inc.的专利权。ITC指出,BTG International是在2009年7月

本周(8月17日至21日),NAND闪存的现货价格被认为是温和的百分比跌幅。 其实2009年以来,两大NAND Flash大厂三星电子(Samsung Electronics)和东芝(Toshiba)的NAND Flash和记忆卡的供货量都锐减,但都以O

外电21日报导,根据呈交至德拉瓦州破产法院的文件,德州仪器(Texas Instruments Inc.)已出价1.725亿美元,希望能买下奇梦达(Qimonda AG)在维吉尼亚州Richmond郡的记忆体晶片制造厂房。根据文件,若有其他厂商出面竞价,则

本周记忆体现货价普遍呈现上扬走势;在DRAM现货价方面,因多数厂商将产能转进DDR3,DDR2产能缩减,导致DDR2供货逐渐短缺,激励DDR2颗粒价格一周来全面上扬,重回1.5美元价位;其中DDR2 1Gb 667MHz及DDR2 1Gb eTT一周来皆上

上周(8-10—8-14)NAND闪存芯片价格继续呈上扬的趋势。上周前期NAND闪存芯片价格微幅上扬,上周后期NAND闪存芯片则出现两级分化局面,容量高的产品价格出现回落的趋势,低容量市场产品价格则出现上扬趋势。MicroSD卡方面还是持续价格还是持续上扬

2009年三星策略上减少现货市场的供货量,以系统业者大客户为主,加上释放到现货市场的记忆卡成卡数量也减少,因此是2009年NAND Flash价格稳健的主因之一。

低密度microSD卡,消息东芝工厂停电从而有助于进一步促进低密度NAND闪存芯片的价格在本周( 7月27号至31号)持续上升。

我们认为,改善记忆卡的需求在本周( 7月20号至24号) ,体现于更多的内存卡交易。

经济部工业局今(22)日举行「DARM产业再造方案」说明会,局长杜紫军在会后记者会中,率先针对TMC破局的市场看法澄清,政府对于DRAM产业再造上,希望进行结构性的改变,因此才会拖了这么久,如今「DRAM产业再造方案」公布,代表TMC条件都已准备好了,现在

下游客户采购意愿仍低,上游供应商也持续小幅调低主流 MLC NAND Flash 合约价, 7 月上旬主流的 MLC NAND Flash 合约价大致呈现小幅下跌约 1% 到 5%

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