供应端风波不断,半导体芯片涨势已蔓延到了存储市场,据中国闪存市场ChinaFlashMarket报价显示,12月份消费类NAND Flash价格指数涨幅反弹已超3%。

三星、铠侠新厂投产将推升硅晶圆出货的增加,甚至可能会导致硅晶圆供应紧张。但环球晶圆作为全球数一数二的硅晶圆供应商,2021年8、12英寸硅晶圆价格确定涨价,将使得存储芯片生产成本增加,对市场行情产生影响。

涨价、缺货风潮已经率先拉高了利基型DRAM和NOR Flash价格,加上近期SK海力士重庆封测厂韩籍员工新冠病毒核酸检测呈阳性导致产线停工、美光台湾桃园DRAM厂区停电,本周NAND和DRAM市场紧张氛围加剧。

SK海力士宣布,已开发出176层512Gb TLC 4D NAND,并已在上个月给主控厂商提供样品,稍晚些还将推出基于176层的1Tb容量4D NAND。

近期,半导体芯片涨价风不断蔓延,之前主要是8吋晶圆厂产能紧缺影响驱动IC、电源芯片等零组件短缺,如今涨价范围还在进一步扩大,不仅部分半导体原材料涨价,MLCC、芯片电阻、LCD驱动等产能也在吃紧或价格上调,就连NOR Flash、存储封测等周边存储产品报价也在上涨。

华为、小米等厂商入局进一步刺激产业创新,笔记本电脑市场似乎迎来了下一个“春天”,诺基亚在此时入局,不失为不错的选择。

本周(12月1日)渠道市场SSD、内存条等产品涨价,主要受市场商家策略,以及市场“预期缺货”心理等影响较大,并非实际需求带动,因此渠道市场此波涨势能否持续,还需进一步观察市况。

到2021年,华为笔记本生产目标将超过1000万台,甚至乐观上看1500万台,在全球PC市场的市占份额也将有望突破5%。

西部数据官方澄清,称本次变动仅涉及日本市场的实体公司名称更改,西部数据并不会停用闪迪品牌,会继续提供基于 SanDisk 品牌的产品。

市场总是瞬息万变的,正当业内对今年后续行情普遍看衰之际,渠道SSD市场却感受到了些许“暖意”,或许成为扭转低迷市况的导火索。

受消费电子旺季需求叠加华为拉货需求拉动,三季度DRAM Bit出货量环比增长高于预期,抵消部分平均价格下跌的影响,使得三季度整体DRAM销售仅环比微跌0.6%至172亿美元。

半导体零组件缺货及涨价持续发酵,这些是电子设备不可或缺的器件,在很大程度上影响的是终端厂商手机、电脑等出货,而在产业连锁反应下,恐拖累存储市场需求。

据CFM(中国闪存市场)研究显示,在经历二季度的高速增长后,Q3服务器市场需求降温,但在移动市场需求恢复增长的带动下,全球NAND Flash在三季度销售收入环比增长0.8%至146亿美元。

后续行情是否将会持续扩大跌势,关键还需看原厂的动作,若原厂价格策略一直不变,后续存储产品价格也很难大幅下调。

面对第四季度市况,原厂三星、美光、西部数据、SK海力士等看法保守,预估数据中心领域需求将持续疲软,笔记本市场则因为半导体零组件缺货和涨价影响出货将环比下滑,再加上库存水位持续偏高,预估短期NAND Flash价格将有下滑的压力。

简讯快报

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存储厂商

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上市公司

数据有延时,04-25 02:38
存储原厂
三星电子 KRW 219500 -2.23%
SK海力士 KRW 1222000 -0.24%
铠侠 JPY 34580 -2.26%
美光科技 USD 496.410 +3.05%
西部数据 USD 404.850 +0.43%
闪迪 USD 994.140 +6.62%
南亚科技 TWD 206.0 -0.96%
华邦电子 TWD 88.2 +0.46%
主控厂商
群联电子 TWD 1680 -1.47%
慧荣科技 USD 149.810 +5.50%
联芸科技 CNY 46.96 +1.19%
点序 TWD 77.1 -0.26%
品牌/模组
江波龙 CNY 373.19 +4.19%
希捷科技 USD 592.460 +0.82%
宜鼎国际 TWD 1085 -1.81%
创见资讯 TWD 252.5 +0.40%
威刚科技 TWD 400.0 +0.63%
世迈科技 USD 29.970 +8.55%
朗科科技 CNY 46.40 -0.37%
佰维存储 CNY 266.50 +0.83%
德明利 CNY 489.88 -0.97%
大为股份 CNY 35.64 +4.42%
封测厂商
华泰电子 TWD 55.3 -1.95%
力成 TWD 210.0 +1.45%
长电科技 CNY 44.89 +1.08%
日月光 TWD 496.0 +6.78%
通富微电 CNY 48.42 +2.50%
华天科技 CNY 12.45 -0.16%