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eMMC 8GB 5.1
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eMMC 64GB 5.1
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嵌入式

嵌入式 嵌入式 嵌入式存储是目前移动设备(智能手机、平板电脑等)最主流的存储方案,产品包括eMMC/eMCP、iNAND、iSSD等。eMMC是将存储芯片(NAND Flash)及其控制芯片(Controller)封装在BGA芯片内。可以解决Flash管理困难的问题,客户只需选择所需容量,无需理会Flash品牌差异、技术改变、兼容等问题,可简化终端设计、缩短研发时间。 应用领域: 平板电脑 智能手机 功能手机

嵌入式

  • 时创意eMMC时创意eMMC

    采用SMI最新基于LDPC ECC纠错引擎的主控芯片,搭配长江存储Xtacking架构第三代TLC 3D NAND闪存颗粒。SCY 2022-03-25

  • 铠侠UFS 3.1系列铠侠UFS 3.1系列

    铠侠最新UFS 3.1系列采用1Tb BiCS FLASH? 3D QLC,正在向 OEM 客户提供样品。KIOXIA 2022-01-19

  • BGAE540 SE系列eMMCBGAE540 SE系列eMMC

    BGAE540 SE系列eMMC采用3D TLC,提供16GB, 32GB, 64GB, 128GB四种容量选择。SMART-Modular 2021-12-21

  • BGAE540 UE系列eMMCBGAE540 UE系列eMMC

    BGAE540 UE系列eMMC采用pSLC,提供5GB, 10GB, 20GB, 40GB四种容量选择。SMART-Modular 2021-12-21

  • 西部数据iNAND MC EU551西部数据iNAND MC EU551

    采用96层3D NAND,适用于5G智能手机,可提供128G、256G和512G三种容量选择。WD/SanDisk 2021-06-24

  • YMTC UFS 3.1YMTC UFS 3.1

    采用全新升级的晶栈2.0(Xtacking? 2.0)技术的TLC 3D闪存颗粒,设计和工艺得到进一步改良优化。YMTC/ZHITAI 2021-04-19

  • Micron车用UFS3.1Micron车用UFS3.1

    采用96层3D NAND,提供256GB和128GB容量选择,与UFS 2.1性能相比,读取速度快2倍,写入速度提高50%。Micron 2020-06-01

  • BIWIN DDRBIWIN DDR

    BIWIN DDR提供从DDR1到DDR4的高性能RAM解决方案,主要满足台式电脑、路由器、机顶盒等商规电子产品的内存需BIWIN 2020-04-29

  • 三星eUFS3.1三星eUFS3.1

    采用第五代V-NAND,其写入速度为512GB eUFS 3.0的三倍,提供512GB、256GB和128GB容量选择。Samsung 2020-03-17

  • 西部数据iNAND MC EU521西部数据iNAND MC EU521

    采用主流的96层3D NAND,并充分利用UFS 3.1高带宽以及SLC NAND缓存,可提供最高800MB/s的顺序写入速度。WD/SanDisk 2020-03-02

  • BIWIN nMCPBIWIN nMCP

    BIWIN nMCP由NAND Flash,LowPowerSRAM 等堆叠封装,充分释放PCB空间。BIWIN 2019-12-27

  • BIWIN uMCPBIWIN uMCP

    BIWIN uMCP采用UFS+LPDDR4的组合方案,传输效率高,将是替代传统eMCP的下一代移动存储方案。BIWIN 2019-12-27

  • BIWIN UFSBIWIN UFS

    与最新的eMMC 5.1标准相比,BIWIN UFS速度高出其3倍,并提供32GB~512GB多种容量选择。BIWIN 2019-09-24

  • BIWIN SPI NANDBIWIN SPI NAND

    BIWIN SPI NAND Flash提供了一种更高性价比的存储器外设方案。BIWIN 2019-05-14

  • WD iNAND AT EM132WD iNAND AT EM132

    采用64层3D TLC,符合e.MMC 5.1标准,提供32GB-256GB容量。WD/SanDisk 2019-05-09

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