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嵌入式

  • Micron UFS 4.0 Micron UFS 4.0

    美光UFS 4.0采用232层3D TLC NAND,共有三种容量选择256 GB、512 GB和1TB。Micron 2023-10-30

  • KIOXIA UFS 4.0KIOXIA UFS 4.0

    铠侠UFS 4.0产品将采用BiCS FLASH 3D闪存颗粒,最高传输速度可达4640MB/s, 并向下兼容 UFS 3.1。KIOXIA 2023-05-31

  • FORESEE LPDDR4X系列FORESEE LPDDR4X系列

    广泛应用于便携设备的运行内存产品,提升性能的同时降低系统功耗。FORESEE 2022-12-12

  • FORESEE ePOP3系列FORESEE ePOP3系列

    集成了eMMC和LPDDR的复合产品,为穿戴式设备量身定做。对比eMCP产品厚度更薄、尺寸更小。FORESEE 2022-09-06

  • FORESEE UFS系列FORESEE UFS系列

    基于高性能控制器和新世代3D NAND Flash研发,满足对高性能、低功耗、兼容性和稳定性要求。FORESEE 2022-08-23

  • FORESEE eMCP4x系列FORESEE eMCP4x系列

    集成eMMC和LPDDR的复合产品,释放PCB空间,助力智能设备小型化和轻薄化。FORESEE 2022-08-09

  • FORESEE uMCP系列FORESEE uMCP系列

    集成UFS和LPDDR的复合产品,释放PCB空间,助力智能设备小型化和轻薄化。FORESEE 2022-08-09

  • FORESEE eMMC系列FORESEE eMMC系列

    基于高性能控制器和新世代3D NAND Flash研发,满足对高性能、低功耗、兼容性和稳定性要求。FORESEE 2022-06-16

  • Samsung UFS 4.0Samsung UFS 4.0

    三星UFS 4.0使用176 层第7代V-NAND,提供 4200MB/s 的顺序读取速度和2800 MB/s的顺序写入速度Samsung 2022-05-25

  • 时创意eMMC时创意eMMC

    采用SMI最新基于LDPC ECC纠错引擎的主控芯片,搭配长江存储Xtacking架构第三代TLC 3D NAND闪存颗粒。SCY 2022-03-25

  • 铠侠UFS 3.1系列铠侠UFS 3.1系列

    铠侠最新UFS 3.1系列采用1Tb BiCS FLASH? 3D QLC,正在向 OEM 客户提供样品。KIOXIA 2022-01-19

  • BGAE540 UE系列eMMCBGAE540 UE系列eMMC

    BGAE540 UE系列eMMC采用pSLC,提供5GB, 10GB, 20GB, 40GB四种容量选择。SMART-Modular 2021-12-21

  • BGAE540 SE系列eMMCBGAE540 SE系列eMMC

    BGAE540 SE系列eMMC采用3D TLC,提供16GB, 32GB, 64GB, 128GB四种容量选择。SMART-Modular 2021-12-21

  • 西部数据iNAND MC EU551西部数据iNAND MC EU551

    采用96层3D NAND,适用于5G智能手机,可提供128G、256G和512G三种容量选择。WD/SanDisk 2021-06-24

  • YMTC UFS 3.1YMTC UFS 3.1

    采用全新升级的晶栈2.0(Xtacking? 2.0)技术的TLC 3D闪存颗粒,设计和工艺得到进一步改良优化。YMTC/ZHITAI 2021-04-19

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