采用SMI最新基于LDPC ECC纠错引擎的主控芯片,搭配长江存储Xtacking架构第三代TLC 3D NAND闪存颗粒。SCY 2022-03-25
铠侠最新UFS 3.1系列采用1Tb BiCS FLASH? 3D QLC,正在向 OEM 客户提供样品。KIOXIA 2022-01-19
BGAE540 SE系列eMMC采用3D TLC,提供16GB, 32GB, 64GB, 128GB四种容量选择。SMART-Modular 2021-12-21
BGAE540 UE系列eMMC采用pSLC,提供5GB, 10GB, 20GB, 40GB四种容量选择。SMART-Modular 2021-12-21
采用96层3D NAND,适用于5G智能手机,可提供128G、256G和512G三种容量选择。WD/SanDisk 2021-06-24
采用全新升级的晶栈2.0(Xtacking? 2.0)技术的TLC 3D闪存颗粒,设计和工艺得到进一步改良优化。YMTC/ZHITAI 2021-04-19
采用96层3D NAND,提供256GB和128GB容量选择,与UFS 2.1性能相比,读取速度快2倍,写入速度提高50%。Micron 2020-06-01
BIWIN DDR提供从DDR1到DDR4的高性能RAM解决方案,主要满足台式电脑、路由器、机顶盒等商规电子产品的内存需BIWIN 2020-04-29
采用第五代V-NAND,其写入速度为512GB eUFS 3.0的三倍,提供512GB、256GB和128GB容量选择。Samsung 2020-03-17
采用主流的96层3D NAND,并充分利用UFS 3.1高带宽以及SLC NAND缓存,可提供最高800MB/s的顺序写入速度。WD/SanDisk 2020-03-02
BIWIN nMCP由NAND Flash,LowPowerSRAM 等堆叠封装,充分释放PCB空间。BIWIN 2019-12-27
BIWIN uMCP采用UFS+LPDDR4的组合方案,传输效率高,将是替代传统eMCP的下一代移动存储方案。BIWIN 2019-12-27
与最新的eMMC 5.1标准相比,BIWIN UFS速度高出其3倍,并提供32GB~512GB多种容量选择。BIWIN 2019-09-24
BIWIN SPI NAND Flash提供了一种更高性价比的存储器外设方案。BIWIN 2019-05-14
采用64层3D TLC,符合e.MMC 5.1标准,提供32GB-256GB容量。WD/SanDisk 2019-05-09
国家集成电路设计深圳产业化基地市场平台 CFM闪存市场 客服邮箱:Service@ChinaFlashMarket.com
Copyright©2008-2021 深圳市闪存市场资讯有限公司 版权所有 粤ICP备08133127号-2