嵌入式

• 江波龙FORESEE UFS 3.1系列

  提供128GB、256GB、512GB三种容量选择，广泛应用于智能手机旗舰机型、平板电脑、AR/VR、高速智能摄像等。longsys 2022-07-11

• 时创意eMMC

  采用SMI最新基于LDPC ECC纠错引擎的主控芯片，搭配长江存储Xtacking架构第三代TLC 3D NAND闪存颗粒。SCY 2022-03-25

• 铠侠UFS 3.1系列

  铠侠最新UFS 3.1系列采用1Tb BiCS FLASH? 3D QLC，正在向 OEM 客户提供样品。KIOXIA 2022-01-19

• BGAE540 SE系列eMMC

  BGAE540 SE系列eMMC采用3D TLC，提供16GB, 32GB, 64GB, 128GB四种容量选择。SMART-Modular 2021-12-21

• BGAE540 UE系列eMMC

  BGAE540 UE系列eMMC采用pSLC，提供5GB, 10GB, 20GB, 40GB四种容量选择。SMART-Modular 2021-12-21

• 西部数据iNAND MC EU551

  采用96层3D NAND，适用于5G智能手机，可提供128G、256G和512G三种容量选择。WD/SanDisk 2021-06-24

• YMTC UFS 3.1

  采用全新升级的晶栈2.0（Xtacking? 2.0）技术的TLC 3D闪存颗粒，设计和工艺得到进一步改良优化。YMTC/ZHITAI 2021-04-19

• Micron车用UFS3.1

  采用96层3D NAND，提供256GB和128GB容量选择，与UFS 2.1性能相比，读取速度快2倍，写入速度提高50%。Micron 2020-06-01

• BIWIN DDR

  BIWIN DDR提供从DDR1到DDR4的高性能RAM解决方案，主要满足台式电脑、路由器、机顶盒等商规电子产品的内存需BIWIN 2020-04-29

• 三星eUFS3.1

  采用第五代V-NAND，其写入速度为512GB eUFS 3.0的三倍，提供512GB、256GB和128GB容量选择。Samsung 2020-03-17

• 西部数据iNAND MC EU521

  采用主流的96层3D NAND，并充分利用UFS 3.1高带宽以及SLC NAND缓存，可提供最高800MB/s的顺序写入速度。WD/SanDisk 2020-03-02

• BIWIN nMCP

  BIWIN nMCP由NAND Flash,LowPowerSRAM 等堆叠封装，充分释放PCB空间。BIWIN 2019-12-27

• BIWIN uMCP

  BIWIN uMCP采用UFS+LPDDR4的组合方案，传输效率高，将是替代传统eMCP的下一代移动存储方案。BIWIN 2019-12-27

• BIWIN UFS

  与最新的eMMC 5.1标准相比，BIWIN UFS速度高出其3倍，并提供32GB~512GB多种容量选择。BIWIN 2019-09-24

• BIWIN SPI NAND

  BIWIN SPI NAND Flash提供了一种更高性价比的存储器外设方案。BIWIN 2019-05-14

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