消息称三星电子西安晶圆厂实现V8 (236L) 3D NAND闪存量产

存储器 2026-03-30 10:31

据韩媒报道,三星电子位于中国西安的NAND晶圆厂近期成功完成工艺制程升级,实现了236层堆叠的第八代V-NAND (V8 NAND)的量产。本次制程升级始于2024年,旨在改造原有的V6 (128L) NAND,以提升产品性能与生产效率,增强产能竞争力,满足AI时代对高性能存储设备的需求。三星西安晶圆厂的下一步瞄准了286层堆叠的V9 NAND,相关生产线将位于X2工厂,计划在2026年内完成过渡并实现量产。

简讯快报

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