创见2026年5月营收达62.98亿元（新台币，下同），同比增长469.83%，环比下降15.5%；4-5月营收总和达137.5亿元，高于第一季度的136.3亿元。创见董事长束崇万表示，主要受惠于市场价格维持高档，目前DDR4稳定取得三星电子的长期供应，至少将维持至2027年底，后续延续供货的可能性极高。

据外媒报道，高通可能会打破以往从高端芯片组价格中牟取高利润的商业模式，转而向三星提供大幅折扣。此前报道称，三星计划在Galaxy S27系列手机50%的出货量中，将采用Exynos 2700芯片 ，该比例较Exynos 2600的25%大幅提升，因此Exynos 2700有望在明年取代大量骁龙芯片，侵蚀高通份额。骁龙8 Elite Gen 6 Pro首次采用台积电2纳米制程，单片成本可能超过300美元，这迫使手机厂商在其他硬件上妥协以维持利润。而作为高通最大芯片客户，三星有望通过折扣协议降低采购成本。据悉，高通可能会给三星提供比标准骁龙处理器价格低16%的折扣，比Exynos 2700便宜12%。

英伟达宣布，NVIDIA Vera Rubin 平台正在全面投产，为全球智能AI工厂提供动力。来自NVIDIA供应链生态系统、遍布30个国家/地区的350多家（仅台湾就有150家）合作伙伴参与了Vera Rubin的生产。此外，据韩媒报道，黄仁勋在NVIDIA GTC台北大会表示Vera Rubin采用台积电的3纳米工艺和2.5D封装，搭载了美光、SK海力士和三星电子生产的HBM4显存。

据韩媒援引业内人士消息，三星电子的晶圆代工部门正在与包括比亚迪在内的中国主要汽车制造商洽谈自动驾驶系统芯片（SoC）合同。据悉，三星电子正与比亚迪和其他主要汽车制造商就2纳米和4纳米工艺的订单进行洽谈。如果交易最终达成，除了现有客户蔚来汽车（已采用三星5纳米工艺生产自动驾驶芯片）之外，更多中国大型汽车制造商也将加入三星的客户行列。

据韩媒报道，三星电子在2026年台北国际电脑展（Computex 2026）上首次公开了其第八代高带宽内存（HBM5）的实体模型。三星电子首席技术官宋载赫表示，HBM4和HBM5之间最大的区别在于核心芯片的工艺。HBM4应用了最先进的1c DRAM，并通过重新设计和完善工艺不断提升性能、良率和质量。而对于HBM5，三星正准备引入先进的2nm工艺来优化基础芯片。从展出的模型来看，HBM5与前代产品HBM4E最大的区别在于采用了HPB结构。HPB是一种旨在解决散热问题的技术，其结构本身就像一个物理通道，可以将热量排出到外部。

Anthropic已完成总额为650亿美元的H轮融资，由阿尔蒂米特资本（Altimeter Capital）、德拉戈尼尔投资（Dragoneer）、格林奥克斯资本（Greenoaks）和红杉资本领投，投后估值达到9650亿美元，超越了其竞争对手OpenAI。美光、三星和SK海力士也参与了Anthropic的这轮融资。

三星电子宣布，已开始向全球主要客户交付业界首批 12 层 HBM4E 样品，进一步巩固了其在下一代 HBM 市场的领先地位。三星 HBM4E 可提供稳定的 14 Gbps 引脚传输速度，性能可扩展至 16 Gbps，以满足日益增长的数据处理需求。三星12 层 HBM4E 提供 48 GB 容量，比上一代产品增加了 30% 以上，并计划根据客户需求扩展产品线，包括 32 GB（8 层）和 64 GB（16 层）配置。

据外媒报道，三星电子计划投资约15亿美元在越南建设半导体测试工厂。据悉，该工厂生产通用芯片，计划年产能为1533亿GB DRAM和2556亿GB NAND闪存。目前工厂已开始建设，预计将于明年11月开始运营。

韩国化学企业PKC已启动其群山工厂半导体氯气产能扩建工程，产能将提升50%，年产能将从目前的1400至1500吨提升至2100至2200吨。此次投资是在事先与三星电子协商后决定的，规模达数百亿韩元。扩建的驱动因素是高密度NAND Flash堆叠所需的蚀刻气体需求激增，以及三星电子要求扩大氯化氢的供应。氯化氢常用于半导体晶圆清洗和蚀刻工艺，其通过氯气与氢气反应生成。

继在多个市场提高Galaxy系列售价后，三星手机涨价警报或未解除。最新报道称，三星正准备再次上调部分市场旗舰手机价格，根源在于AI基建需求井喷，推动内存、闪存等核心元器件成本全面上涨，这是整个消费电子行业共同面对的难题。