据业界消息，Meta正推进与三星晶圆代工合作设计并生产价值超10万亿韩元（约合65亿美元）的下一代ASIC。其自研AI加速器“MTIA”已锁定三星为合作伙伴，计划采用2纳米尖端工艺量产数十万组。同时，美国AI巨头Anthropic也在评估使用其2纳米工艺开发芯片。

7月3日，韩国KOSPI指数高开1.2%，报7739.75点；日经225指数则低开0.08%，报68676.06点。个股方面，截至发稿，三星电子涨4.2%，SK海力士涨0.37%，铠侠涨3.68%。尽管隔夜美股半导体板块大跌，但日韩主要存储芯片厂商今日早盘逆势走强，显示市场对行业短期波动存在分歧。

据韩媒援引业内人士消息，三星电子晶圆代工部门近期调整了供货策略，优先处理现有客户的订单，并有选择地接受新客户的订单。在人工智能半导体市场扩张和全球科技巨头订单增加推动需求激增的情况下，限制接受新客户订单的数量。相关人士表示，现在的策略主要是专注于有把握的项目，而不是无条件接受所有客户订单。

韩国三星电子高管团队近日造访联想集团总部。据知情人士透露，双方此次高层会晤的核心议题可能聚焦于存储芯片的供应保障、AI硬件的协同合作，以及探讨建立长期合作机制等事宜。

据韩媒报道，三星电子计划在其Galaxy A18的4G和5G版本分别使用联发科和高通的产品作为处理器。业内人士透露，4G版本的相关组件的量产已经开始，5G版本的组件量产预计将根据高通的准备情况而定。据报道，三星计划从8月开始量产Galaxy A18 4G版成品。A18 4G版目前的月产量计划为：8月10万部，9月240万部，10月250万部。产品生产计划可能会根据市场情况进行调整。

今日早间，韩国股市开盘后，韩国交易所因KOSPI 200期货下跌5%启动KOSPI的熔断机制，程序化交易暂停5分钟。日本股市亦全线下挫。截至发稿，韩国KOSPI指数跌超3%，日经225指数跌超1%，铠侠跌超12%，SK海力士跌超7%、三星电子跌超6%。

据媒体报道，三星电子首席技术官兼半导体研究所所长Song Jae Hyuk在DS部门内部经营说明会上表示，HBM4E的可靠性测试良率已提升至70%以上。下一代DRAM工艺开发方面，Song Jae Hyuk表示D1d工艺的技术竞争力已领先于竞争对手，并以今年11月取得生产准备认证（PRA）为开发目标。

据外媒报道，三星晶圆代工在2025年初短暂暂停1.4nm半导体制造技术的商业化后，已恢复该技术的商业化。鉴于其2nm芯片制造工艺（SF2和SF2P）目前进展顺利，公司正推进1.4nm工艺的先进开发。据悉，三星已对相关进度进行了一些调整，新的时间表已从2027年推迟到2029年。三星晶圆代工已邀请应用材料和Lam Research等合作伙伴启动定制芯片制造设备的先进研发工作，相关设备将交付至三星NRD-K园区。

三星电子发布名为 “包括沿垂直方向堆叠的多个半导体芯片的半导体封装”的HBM封装新专利，旨在解决高带宽内存（HBM）封装的可靠性问题。据其28日提交的申请显示，三星电子采用“深槽切割”工艺，将堆叠在HBM顶部的虚拟芯片的侧面加工成三级阶梯状曲面结构，这种方法可以有效改善高堆叠HBM中常见的芯片分层、开裂和翘曲等问题。另外，热管理方面，该专利将粘合绝缘层底面与水平延伸面之间的垂直距离精确设计在1-10微米之间，使传热效率保持在现有水平；还包含一种改进的凸起表面结构，可最大限度地减少成型层的体积，从而有可能改善传热路径。

6月30日早盘，韩国股市短线跳水后回升，韩国KOSPI指数盘中跌幅一度扩大至2%。截至发稿，韩国KOSPI指数回升，跌幅收窄至0.03%；三星涨超1%，SK海力士跌近1%。