据媒体报道，三星电子在“AMD Advancing AI 2026”活动上举办了一场专题研讨会，并公布了与AMD的合作成果。三星电子高级工程师James Ahn表示，三星电子的HBM4将应用于AMD最新的AI加速器Instinct MI455X和Helios平台。其架构是：Instinct GPU系列采用HBM4和HBM3E，服务器CPU EPYC系列采用RDIMM DRAM模块，而Helios平台则同时采用RDIMM和HBM4。据悉，AMD和三星电子的合作关系将在下一代产品HBM4E（第七代HBM）阶段进一步加强。

7月24日，日韩股市双双低开。日经225指数低开1.3%，报65584.25点。韩国综指低开1.4%，报7000.78点。存储概念个股方面，截至发稿，三星、SK海力士均跌超4%，铠侠跌超2%。

据韩媒报道，高通技术宣布骁龙8 Elite第五代移动平台（适用于Galaxy系列）、骁龙Wear Elite平台以及骁龙AR1第一代芯片将应用于三星的新产品线。该产品线包括三星Galaxy Z Fold 8 Ultra、三星Galaxy Z Fold 8、三星Galaxy Z Flip 8、三星Galaxy Watch 9、三星Galaxy Watch Ultra 2以及新一代智能眼镜。

据韩媒报道，三星电子与忠清南道牙山市签订MOU，确定了温阳工厂扩建计划、振兴当地经济以及切实合作措施。新工厂计划于今年10月开工建设，目标是在2029年5月实现HBM的量产。据悉，该项目该项目为韩国政府三大Mega Project的首个落地项目，总投资额为46万亿韩元，其中6万亿韩元将用于建设HBM生产线。

7月23日，日韩股市集体。截至发稿，韩国KOSPI综指涨超3%，日经225指数涨超1%。存储概念个股方面，截至发稿，三星涨超4%，SK海力士涨超6%，铠侠涨近1%。

据外媒报道，三星正洽谈投资法国AI初创公司Mistral，投资额约为10亿欧元。据悉，若本轮融资完成，Mistral的估值预计将达到约200亿欧元。美国对Anthropic的出口管制引发了对“主权人工智能”能力的关注。Mistral自成立以来一直专注于“开放式”人工智能模型，这些模型可以由客户定制和控制，这意味着任何公司或政府都无法将其关闭。

据韩媒报道，三星电子正在其平泽园区建设可容纳50台芯片对晶圆（D2W）混合键合设备的量产产线，用于生产下一代高带宽存储器（HBM）和逻辑芯片。设备交付和安装预计将于今年年底开始。报道称，三星电子内部预测混合键合技术的大规模量产要到2030年才能实现。

7月22日，日韩股市开盘大涨，韩国交易所对KOSPI指数启动暂停程序化交易机制。截至发稿，韩国KOSPI综指涨超6%，日经225指数涨超1%。存储概念个股方面，截至发稿，三星涨超5%，SK海力士涨超8%，铠侠涨超9%。

据媒体报道，长鑫存储正在为DDR6提前布局供应链，已引入新的封装基板及导线架供应商海成DS（Haesung DS），考虑改用可支持多层设计的面板级制程，以取代DDR4、DDR5使用的卷对卷生产方式，应对DDR6多层设计的更高要求。据悉，长鑫的LPDDR6芯片已进入送样阶段，有望在2026年下半年实现全球首发量产，速率达12.8Gbps，直接对标三星和SK海力士的旗舰产品。

据韩媒报道，三星电子正扩大与英伟达在NAND闪存领域的合作。业内人士透露，三星电子已建成每月超过10万片晶圆的V-NAND产能，并正在大规模生产其第十代V10产品，以供应给英伟达。据悉，三星已将约60%的V-NAND产能分配给V9闪存，此举旨在满足英伟达下半年推出的CMX对NAND的需求。此外，三星已开始试生产500层级的V11闪存，试生产于今年年初启动，计划在下半年将相关产量翻番。