受英伟达强劲财报及AI需求持续旺盛提振，今日亚洲科技股全线走高，MSCI亚太指数涨1%创历史新高，三星电子飙升逾5%，SK海力士涨超2%，双双创下历史新高，推动KOSPI指数涨超2%。美股方面，前一日存储板块表现分化，西部数据涨7.53%、希捷科技涨6.52%，闪迪受做空影响跌0.96%。

A股存储芯片小幅回调，兆易创新跌0.62%，澜起科技跌1.59%。业内人士虽普遍看好AI供应链前景，但部分人士对过度投资隐忧持审慎态度。

当地时间2月25日，三星电子在旧金山举行Galaxy S26系列新品发布会，正式推出Galaxy S26系列三款智能手机。三款机型均搭载Gemini智能体，同时保留Perplexity网络查询引擎及三星自研大模型驱动的设备端助理Bixby。三星电子还在发布会上首次公开展示由谷歌Gemini驱动的手机AI智能体，该智能体可自主完成点外卖、叫车等跨应用操作。价格方面，基础款S26和S26+起售价均较前一代提价100美元，分别达到899和1099美元，旗舰Galaxy S26 Ultra的起售价维持在1299美元。

据韩媒报道，三星将于3月停止其位于韩国华城园区12号生产线的2D NAND生产。该生产线将被改造用于生产1c DRAM，这标志着三星正式停止生产2D NAND闪存。华城园区的其他DRAM生产线也在进行改造，以生产1c DRAM。本次产线改造预计将提高华城园区整体DRAM生产效率，1c DRAM的产量将占三星DRAM总产能的较大部分。

据韩媒报道，业内人士透露，三星电子已将Galaxy S26 Ultra的初始产量由最初设定的200多万部，上调至300多万部。此举旨在应对存储芯片价格的快速上涨。

三星电子日前于ISSCC 2026上发布其LPDDR6研发成果，其最大传输速度可达14.4Gb/s。与上一代LPDDR5X（最大传输速度10.7Gb/s）相比，速度提升约35%。此外，三星电子着重提升了能效，与LPDDR5相比，LPDDR6读取功耗降低27%。在最低电压（0.97V）下，其传输速度可达12.8Gb/s，并通过结构优化，增强了在实际使用环境中的稳定性。LPDDR6预计将于今年下半年上市。

2 月 25 日全球存储板块呈现显著分化。韩系龙头三星电子大涨 3.63% 创历史新高，市值逼近万亿美元；SK 海力士同步刷新，市值反超美光。

受做空机构香橼资本宣布做空闪迪的消息冲击，美股存储股普遍回调，美光科技、闪迪、西部数据股票下跌；A 股兆易创新、澜起科技、佰维存储集体走弱，港股澜起科技、兆易创新跌幅靠前。部分机构指出，AI 驱动存储涨价周期未改，短期属高位情绪调整，需关注板块波动风险。

据韩媒报道，三星电子位于京畿道平泽市的晶圆代工厂生产线利用率最近已超过 80%，部分工序的利用率甚至达到 90%。提高利用率的主要驱动力是 Exynos 2600。此外，英伟达机器人芯片 Thor 系列和特斯拉AI5 芯片（其设计已接近完成）预计也将由三星的代工部门生产。

2月24日，全球存储板块掀起普涨行情，AI算力需求爆发、HBM供不应求及行业库存告急成为核心驱动。A股方面，存储芯片概念强势上攻，澜起科技大涨6.08%，佰维存储涨4.88%，深科技涨4.58%，板块热度显著升温。与此同时，韩国KOSPI指数再创历史新高，收盘上涨2.11%，SK海力士涨5.7%，三星电子涨近3.63%，市场消息称新一代HBM4量产定价超出预期，进一步提振情绪。台股方面，台积电、南亚科同步上行；美股前一日（23日）三大指数集体收跌，存储龙头美光科技亦下跌1.68%。在卖方市场格局下，存储价格上行趋势明确，板块高景气延续。

三星昨日官宣其Galaxy Book6系列将于3月11日在美国发售，包括Galaxy Book6 Ultra、Galaxy Book6 Pro和Galaxy Book 6。Galaxy Book6系列搭载Intel Core Ultra Series 3处理器——首款基于英特尔18A 架构的客户端SoC，确保了高效高速的CPU、GPU和NPU性能 ，从而实现快速处理、流畅的多任务处理和更灵敏的AI响应。其中，16英寸的Galaxy Book 6 Pro首次采用了均热板散热技术，Galaxy Book6 Ultra和Pro配备了三星迄今为止续航时间最长的电池，视频播放时间长达30小时。
 

据韩媒报道，业内人士透露，三星电子内部已实现1c DRAM 80%的良率，这是在高温环境下（热测试）取得的最高良率，并进一步表示，基于1c DRAM的HBM4的良率也有所提高，已接近60%，去年第四季度约为50%。