4月30日，三星电子发布2026年一季度财报。数据显示，2026年第一季度（1-3月）营收为133.9万亿韩元(约合901亿美元)，环比增长43%，同比增长69%；经营利润57.2万亿韩元(约合385亿美元)，环比增长184.6% ，同比增长7.5倍；净利润47.2万亿韩元(约合318亿美元)，环比增长140.5%，同比增长4.8倍。该季度三星电子营收及营业利润均创历史新高。其中，Q1存储业务营收为74.8万亿韩元(约合503亿美元)，环比增长101%，同比增长292%。得益于存储器市场的技术领先地位以及更高的平均售价 (ASP)，存储器业务季度营收及营业利润也均创历史新高。三星电子表示，一季度三星HBM的销量比去年同期增长了三倍以上，从2026年第二季度开始，公司计划向主要客户提供其第七代HBM（HBM4E）原型产品，预计HBM4的销量从第三季度开始将占HBM总销量的一半以上。

据外媒报道，三星电子正加速推进位于平泽园区的第四工厂（P4）量产时间。该厂投资规模达50万亿韩元，公司有望通过“临时使用许可”机制，将P4的全面爬坡时间较原定进度提前6个月，力争2026年年内全面启动。

据日媒报道，三星电子最早将于本月做出最终决定，停止在中国销售家电和电视业务。对此，三星方面表示：“尚未做出任何决定。”三星正在以各种形式审视（这项业务），目前相关工作正在进行中。

据韩媒报道，三星电子已生产出适用于10纳米以下DRAM工艺的可用工作晶圆。业内人士透露，三星在上个月采用其10a工艺制造的晶圆测试中，确认了一颗可用的晶圆，体现了4F²单元架构和垂直通道晶体管（VCT）结构的首次应用。据悉，三星的目标是在今年完成10a DRAM的开发，明年进行质量测试，并在2028年实现量产。该公司计划在10a、10b 和10c三代产品中使用 4F² 和 VCT 结构，然后在10d代转向3D DRAM。

冲突引发的连锁反应，正逐渐成为半导体材料供应链的新冲突引爆点。据韩媒报道，日本多家主流光刻材料供应商已通过其韩国子公司，向三星电子、SK 海力士等半导体客户告知原材料采购受阻问题，或正准备下发相关通知。消息称，部分日本企业已于 4 月 21 日完成内部通报，计划在内部会议结束后，于 4 月 23 日正式向韩国合作客户说明此次供应问题。本次短缺的核心材料为丙二醇甲醚（PGME）与丙二醇甲醚醋酸酯（PGMEA），二者是电子材料领域应用广泛的溶剂。

据韩媒报道，23日下午由三星电子内部三个工会组成的联合斗争总部在三星韩国平泽园区进行集结，截至下午2点集会正式开始，约有4万人聚集，工会方面要求三星发放占营业利润15%的绩效奖金，并废除绩效奖金上限。若劳资未能达成协议，劳方计划从5月21日至6月7日发起为期18天的全面罢工。今日举行的决议集会旨在罢工前展示工会的“实力”。

据媒体报道，由于特斯拉的存储需求激增，4月三星向特斯拉供应的8GB GDDR6 DRAM较第一季度月均水平增长了三倍。三星已提高位于韩国华城工厂的产能，以满足客户对DRAM的需求，还计划在2026年下半年于得克萨斯州的工厂开始为特斯拉生产先进的人工智能芯片。

据韩媒报道，由于担心良率达不到预期目标而导致投资回报率（ROI）下降，三星已推迟其10nm级第七代DRAM（1d DRAM，以下简称D1d）初期量产计划。据悉，三星原计划在完成预生产批准（PRA）流程后，于今年第一季度开始D1d的实际试生产。目前三星正在全面重新审视工艺路线图，集中精力进一步提高良率。

据外媒报道，高通CEO Cristiano Amon近日访韩，与三星和SK海力士高层会面，预计将就确保内存货源和与三星在2nm晶圆代工领域的合作展开讨论。

据韩媒报道，受人工智能应用领域对NAND Flash需求增长导致平均售价大幅上涨所推动，三星决定在其平泽P5工厂建设一条NAND Flash产线，该工厂的洁净室预计将于明年投入使用。具体规模尚未最终确定，预计将根据NAND Flash的需求情况灵活调整。