三星电机宣布，已与一家全球大型企业签署了一份价值3605亿韩元（约合2.7亿美元）的供货合同，为该客户提供安装在存储半导体上的高性能封装基板。合同期限为一年，从2027年1月1日至2027年12月31日。随着生成式人工智能的普及和高性能计算需求的不断增长，下一代存储产品（例如高带宽内存 (HBM) 和高性能服务器 DRAM 模块）的需求日益增长，从而推动了基板需求的激增。

据韩媒援引业内人士消息，英伟达正与三星电子和台积电合作设计其专有HBM芯片NVHBM的核心组件——基底裸片。业内人士估计，台积电3纳米工艺的良率超过90%，而三星晶圆代工的2纳米SF2工艺良率约为60%。对于英伟达而言，将基底裸片生产集中在台积电是更稳定的选择。不过报道称，这也不意味着台积电已经锁定英伟达HBM的基底裸片生产。虽然三星电子应英伟达的要求使用了台积电的基底裸片，但为了应对持续增长的需求，三星电子也在准备在其自有晶圆厂生产该组件。一位业内人士表示，台积电的3纳米生产线也生产高性能计算和智能手机芯片，分配的产能可能会达到上限。因此，三星晶圆代工正在其2纳米工艺上验证英伟达HBM基底裸片的生产，该工艺与台积电的3纳米工艺相当。

据Omdia初步估计，2026年第三季度全球智能手机出货量同比下降20%，较上一季度6%的降幅大幅扩大。持续高涨的存储成本压力限制了定价灵活性，迫使厂商缩减低利润设备的出货量。从品牌市占来看，三星以23%的市场份额保持领先地位；苹果以 22% 的市占位居第二；小米以12%的市占保持第三；OPPO（包括realme和OnePlus）、vivo的市场份额分别为9%和8%。不同于其他品牌市场份额同比下滑的情形，26Q3三星和苹果的市场份额均有所提高，合计共占全球智能手机45%的出货量，比上年同期增长约8个百分点。

韩国KOSPI指数跌超8%触发熔断机制，交易暂停20分钟。这是韩国股市今年以来第十次触发熔断机制。个股方面，SK海力士跌超11%，三星电子跌近10%。

据韩媒报道，在首尔江南区COEX举行的第28届半导体展览会（SEDEX 2026）开幕式上， 三星电子首席技术官（CTO）兼总裁Song Jaehyuk 确认三星电子也在开发4F²技术。三星电子表示，他们已经对 4F² 技术进行了大约五年的研究，内部正将其推进为“垂直通道晶体管 (VCT) DRAM”形式，这种形式将单元结构垂直排列。 据业内人士透露，三星电子计划将4F²技术应用于其下一代3D DRAM和垂直结构工艺节点“D0a”，该项目内部代号为“D0a-V”。

据韩媒报道，三星电子以“拓展人工智能时代的创新”为主题在2026年开放计算项目（OCP）全球峰会发表了演讲，并提出将速度、内存扩展和数据持久性作为人工智能基础设施的技术方向。具体将通过推出高性能内存（如HBM5 和定制 HBM）提高数据处理速度、配备DRAM的CXL内存模块（CMM-D）和内存池化技术实现内存可扩展性，以及利用下一代SSD的数据存储和管理技术提升性能并延长使用寿命。

据韩媒援引业内人士消息， 三星电子正在内部研发三种类型的z-NAND闪存， 除已公开展示模型的zNAND-O外，还包括zNAND-T和zNAND-I。据悉，zNAND-T专为高吞吐量而设计，其特点是最大限度地提高带宽，以满足高容量、高性能AI数据中心的需求；zNAND-I则最大程度地提高了IOPS，虽然更宽的带宽允许一次性处理大量数据，但更高的IOPS意味着每秒完成更多的数据I/O操作。

尽管三星电子预计第三季度将创下107万亿韩元的营业利润纪录，但由于海外投资者持续抛售股票，外国投资者持有的三星电子股份已降至2008年全球金融危机以来的最低水平。截至10月8日，三星电子外资持股比例为46.38%。10月6日该比例为46.37%，为2008年1月11日以来的最低水平，当时为46.35%。

据韩媒报道，三星电子获得的长期供应协议 (LTA)已涵盖其明年计划存储芯片产量的约 75-80%。与此同时，包括英伟达、谷歌和微软在内的全球科技公司正寻求锁定五年或更长时间的供应，以应对人工智能基础设施需求的激增。

据韩媒报道，ASML将统一上调在韩国供应的设备替换零部件价格，涨幅为10%。新价格将从明年1月起生效，本次涨价范围涵盖EUV及DUV光刻机的全部零部件。报道称，ASML总部已通过韩国分公司向三星电子与SK海力士发出了上述涨价意向，之后经过与这两家客户采购部门协商，最终敲定涨价方案。

ASML在其财报统计中，已将“向已安装在客户处的设备提供的维护、升级与零部件更换服务”作为一项单独业务统计，去年这项业务为ASML带来了近82亿欧元的收入，在其总营收中的占比达到25%。今年这一业务营收有望实现30%以上的增速。