日立高新技术推出用于高NA EUV半导体器件的电子束测量系统

据日媒报道，日立高新技术宣布推出高精度电子束测量系统“GT2000”，该系统可以满足使用 EUV 光刻技术制造的半导体器件的开发和量产中的测量需求。

半导体制造工艺的小型化仍在不断发展，研发正在朝着实现 2nm 工艺一代和 14 Å 工艺一代半导体器件的方向前进，高 NA EUV 光刻技术正在应用于这些尖端器件。而器件结构变得更加复杂，例如“GAA”，一种栅极完全覆盖沟道的晶体管结构，以及 CFET，一种互补场效应晶体管，其结构为 n 型器件和p型器件是分层的。

在此背景下，在尖端半导体器件的研究阶段，可以在宽范围的测量条件下高速获取数据，可以测量各种材料和结构，并且可以在大规模生产过程中更稳定地运行。生产阶段，以及设备之间的长度测量值需要减少差异。

GT2000系统首次使用 CD-SEM 的 100 V 超低加速电压条件，以便即使在光刻胶膜处于高 NA EUV 光刻工艺中，也能够在尽可能不损坏光刻胶的情况下进行测量。 “低损伤、高精度测量”结合独特的高速扫描，实现低损伤、高精度测量，“超高速多点测量”可快速确定制造工艺开发和原型制作过程中的条件和异常检测。

此外，通过安装新的“高灵敏度背散射电子检测系统”，可有效检测最尖端半导体技术3D器件结构的背散射电子，可以高精度地对日益复杂的器件结构进行成像。为了满足CD-SEM要求多个设备之间的长度测量值差异较小的需求，对平台和电子光学系统进行了更新，改善了以前模型面临的问题，通过彻底消除因素导致长度测量差异的原因是，日立高新技术已成功地最大限度地减少了设备之间长度测量的差异。