232层3D NAND有何不同？美光将在CFMS2022揭示其持续的存储创新技术

半导体存储芯片行业的发展是一个不断突破极限的过程。随着物联网、自动驾驶、智能工厂、元宇宙等数据密集型行业的发展，在推动着数字时代向前的同时，也对数据存储提出了更高的要求。

自1980年代NAND Flash问世以来，经历过SLC、MLC、TLC也发展到了现在的QLC，到2022年其堆叠层数更是迈进了200+层，闪存技术朝着速度更快、成本更低、容量更大的方向不断前进。同样，DRAM也引入EUV并向更微缩制程演进。

我们也看到，各大原厂都在存储技术上不断探索创新，其中：

· SK海力士已成功研发238层4D NAND，计划2023年上半年投入量产；

· 供应链消息称长江存储新一代3D闪存也达到232层；

· Kioxia/WD也公布其下一代BiCS 7的堆叠层数将达到212层；

· 有消息称三星最新236层V-NAND将于年内实现批量生产。

作为全球主要存储原厂之一的美光，更是最早宣布其下一代 232 层 NAND 闪存将于 2022 年底前实现量产。这些技术上的更迭创新又会如何引导应用需求的变化发展？

9月20日，美光集团副总裁Dinesh Bahal先生将再度在中国深圳召开的中国闪存市场峰会（CFMS2022）上发表演讲，展示美光不断持续的技术创新。

美光新推出的 232 层 NAND 基于CuA架构，单颗Die容量可达1Tb，较上一代比特密度高出45%以上，密度的增加也进一步改善了封装规格，全新11.5mm x 13.5mm封装尺寸较前几代减小28%。这些突破意味着大容量、高性能的存储产品将能搭载在更多类型的设备上。

凭借 232 层 3D NAND，美光也再一次提升了 NAND 技术的业界基准，期待该技术能掀起新一波产品创新的浪潮。对此，美光集团副总裁Dinesh Bahal先生将在CFMS2022上发表《美光持续的存储创新》的演说，探讨美光在技术上的创新突破以揭示产业未来的发展方向。