eMMC现速度瓶颈，2016年UFS2.0成旗舰机存储新标杆

eMMC已现速度瓶颈，UFS是未来发展主趋势

2015年中高端智能型手机向64位/八核发展，eMMC5.0已是主流搭配，当智能型手机向十核或更高规格发展，eMMC则需要向600MB/s或更高的理论传输速度提升来满足需求。

JEDEC固态技术协会发布的eMMC5.1规范增加了指令排队功能，可提高随机读取速度和降低读取延迟，同时增强的闪频模式提高HS400模式的接口速度，还增加安全写入保护、缓存清空报告、后台操作控制、编辑说明等功能。

eMMC5.1虽然基于eMMC 5.0优化提高了传输速度，但并未定义更高的接口理论传输速度，UFS2.0最高理论传输速度可达到11.6Gbps，是eMMC5.0（400MB/s）的3倍，同时还可突破eMMC最高2TB的容量极限，以及具备低功耗等特性。与UFS2.0相比，eMMC5.1速度瓶颈凸显。

为了更好的满足市场需求，三星、东芝最早在2014年就开始量产UFS 2.0，2015年SK海力士UFS2.0开始投产，美光也会跟进UFS 2.0产品。在产品实际应用中，与eMMC5.0相比，UFS2.0连续读写速度可提高一倍多，4KB随机读写速度更是提高2倍，如果基于3D NAND的UFS 2.0，将有更出色的速度表现，可更大幅度的提升智能型手机的性能。

苹果、三星开始引导高端机型向NVMe、UFS2.0发展

苹果和三星在智能型手机市场起着领导作用，2015上半年三星旗舰机Galaxy S6/Edge采用64位八核Exynos7420，搭配UFS 2.0+LPDDR 4，下半年魅族也采用Exynos7420+UFS 2.0方案推出旗舰机Pro 5，引爆UFS 2.0+LPDDR 4为高端智能型手机存储标准配置的风潮。除了三星Exynos7420，高通骁龙810也已支持UFS 2.0和LPDDR4，但由于市场验证速度慢，UFS 2.0较eMMC偏高等原因，大部分高端旗舰机主要以eMMC 5.0+LPDDR 4存储方案为主，并向eMMC5.1升级。

随着CPU主芯片的更新换代，新一代三星Exynos8890、高通骁龙820、麒麟950除了支持eMMC 5.1，还增加对UFS 2.0的支持，乐视乐Max Pro就是配置的骁龙820+UFS 2.0+LPDDR4方案，而在三星积极缩短UFS 2.0与eMMC差价的推动下，预计2016年部分高端旗舰机将搭载UFS 2.0，中高端机型会待UFS 2.0价格进一步下滑，以eMMC5.1作为过渡方案，预计到2018年UFS市场渗透率将达到40%-50%，逐渐成为市场主流应用。

值得注意的是，苹果最新iPhone 6s嵌入式存储方案不是UFS而是NVMe。NVMe存储技术最核心的竞争力是速度快，IOPS高，并行任务处理速度快等，但也面临功耗偏高，成本偏高、设计复杂等挑战，因此目前也仅苹果和三星等公司有机会实际商用，但不排除华为等手机品牌厂会加快切入，此项应用也将成为2016年旗舰智能型手机存储方案最大谜团之一。