NAND Fash市场现货部分仍然出现下跌趋势,但下跌幅度较弱,下跌1%~2%左右,跌幅不深。闪存卡方面价格也持续下跌,主流产品256MB~1GB下跌幅度较大,下跌9%左右。
厂商制程微缩之快,大规模的产出会对市场价格有较大的影响,价格恐面临下跌的压力,另一方面,NAND Flash跌价,反会刺激SSD需求,成长幅度可期,但对NB渗透率仍须3-5年。
4 月下旬储存型快闪记忆体 (NAND Flash)合约价出炉,市场主流的16Gb MLC及32Mb MLC合约均价同步下挫逾1.4%,NAND Flash现货价格呈微幅下跌趋势,小跌1%~3%。
4月上旬动态随机存取记忆体 (DRAM)及储存型快闪记忆体 (NAND Flash)合约价出炉,包括DRAM与NAND Flash产品价格全面走扬。
本周(3.29-4.2)NAND Flash现货价格开始疲软,呈小幅下滑的趋势,随三星跳电效应影响消失后,截至4月2日中午,容量为16GB的和32GB的MLC NAND闪存的现货价格跌幅在2%~1%左右。
从合约市场来看,3月下旬DRAM报价全面与上旬持平,而NAND Flash呈现小幅涨跌,变动约1-5%。预期在苹果iPad 4月上市助力带动下,4月上旬主流规格晶片报价可望止跌回稳。
3月上旬NAND Flash合约价呈现部份下跌及部份持平,观望后市,由于Apple的iPad 销售优于预期,加上英特尔新品SSD问世,更使NAND Flash市场重燃希望。预期NAND Flash价格将止跌回稳。
如今观察DRAM,Flash的价格,价格如果能守在某一区间,上下游厂商都可接受,价位较合理,将有助于产业稳定。
32奈米制程可能沦为过渡技术,未来20奈米制程才会是主流,2010年产能增加几乎全仰赖制程微缩,而20奈米世代来临有助于固态硬碟(SSD)应用成熟。
即便NAND Flash近期价格走跌,不过,记忆体模组厂威刚科技及劲永国际仍一致看好NAND Flash市场前景,全球NAND Flash记忆卡龙头新帝(Sandisk)宣布调高本季财测,也看好后市发展。
| 存储原厂 |
| 三星电子 | 109700 | KRW | +1.20% |
| SK海力士 | 545500 | KRW | +0.28% |
| 铠侠 | 9856 | JPY | +4.52% |
| 美光科技 | 237.220 | USD | +4.66% |
| 西部数据 | 168.890 | USD | +4.90% |
| 闪迪 | 228.470 | USD | +7.11% |
| 南亚科技 | 158.0 | TWD | +3.27% |
| 华邦电子 | 67.1 | TWD | +8.58% |
| 主控厂商 |
| 群联电子 | 1135 | TWD | +5.09% |
| 慧荣科技 | 92.210 | USD | +1.31% |
| 联芸科技 | 45.34 | CNY | +2.30% |
| 点序 | 70.9 | TWD | +1.58% |
| 品牌/模组 |
| 江波龙 | 249.01 | CNY | +4.57% |
| 希捷科技 | 278.790 | USD | +4.95% |
| 宜鼎国际 | 482.5 | TWD | +2.88% |
| 创见资讯 | 185.0 | TWD | +4.82% |
| 威刚科技 | 182.5 | TWD | +3.11% |
| 世迈科技 | 21.580 | USD | -0.46% |
| 朗科科技 | 27.27 | CNY | +2.48% |
| 佰维存储 | 113.40 | CNY | +4.99% |
| 德明利 | 214.81 | CNY | +6.24% |
| 大为股份 | 27.14 | CNY | +2.26% |
| 封测厂商 |
| 华泰电子 | 47.10 | TWD | +1.73% |
| 力成 | 161.0 | TWD | +2.55% |
| 长电科技 | 37.04 | CNY | +0.82% |
| 日月光 | 235.5 | TWD | +1.95% |
| 通富微电 | 37.27 | CNY | +1.86% |
| 华天科技 | 11.17 | CNY | +0.54% |
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