Sandisk OTG USB3.0系列
Sandisk OTG USB3.0系列

双接口传输，USB3.0接口读取速度高达130MB/s，最高存储容量为64GB，可以在移动智能设备和PC间传输数据。

闪迪 2015-02-11
酷豆USB 3.0迷你闪存盘系列
酷豆USB 3.0迷你闪存盘系列

提供16GB-64GB存储容量，袖珍小巧，几近无形，USB 3.0传输接口，快速传输。

闪迪 2014-08-13
Sandisk酷锁USB 2.0系列
Sandisk酷锁USB 2.0系列

存储容量8GB-64GB，USB 2.0传输接口，独特U型锁扣，适合随身携带。

闪迪 2014-08-04
Transcend JetFlash 710系列
Transcend JetFlash 710系列

采用USB 3.0接口，提高8GB-64GB的存储容量，搭配高质感雾面金属外壳，充分展现低调奢华美感。

创见 2014-06-26
PNY T3 Micro M2系列
PNY T3 Micro M2系列

提供4-64GB容量，USB2.0接口传输速度，最高读写速度分别达32MB/秒，10MB/秒。

必恩威 2014-06-26
KINGMAX PD-10 USB 3.0系列
KINGMAX PD-10 USB 3.0系列

提供8GB-32GB存储容量，USB 3.0 PD-10外型典雅大器，简单而具有质感。

胜创 2014-06-12
Toshiba TransMemory USB3.0
Toshiba TransMemory USB3.0

标闪系列USB3.0闪存盘，共有8GB、16GB、32GB、64GB四种容量选择，凝聚了外观精巧、种类繁多和可自行DIY标签

铠侠 2014-05-29
PNY T3 Attaché USB 3.0系列
PNY T3 Attaché USB 3.0系列

该系列8G-64GB的存储容量，符合USB3.0标准规范，最高读取速度140MB/sec; 最高写入速度可达21 MB/sec。

必恩威 2014-05-13
LD U02 U盘系列
LD U02 U盘系列

提供USB 2.0的传输速度，体型小巧，携带方便，外金属坚固、耐用，严密保护芯片，有4GB-32GB种容量选择。

和诺 2014-04-09
PNY T3 Attaché USB 3.0系列
PNY T3 Attaché USB 3.0系列

该系列16G-128GB的存储容量，符合USB3.0标准规范，最高读速度高可达190MB/sec; 最高写入可达120MB/sec。

必恩威 2014-03-19
至尊超极速USB 3.0闪存盘系列
至尊超极速USB 3.0闪存盘系列

存储容量高达128GB，USB 3.0传输接口，文件传输速度是普通USB 2.0 闪存盘的60 倍。

闪迪 2014-02-20
TransMemory-EX II USB3.0系列
TransMemory-EX II USB3.0系列

采用USB 3.0接口，容量为32GB-128GB，最大读取速度222MB/秒，最大写入速度205MB/秒，32GB写入速度偏小。

铠侠 2014-02-15
DataTraveler Mini 3.0系列
DataTraveler Mini 3.0系列

提供16GB-128GB存储容量，USB3.0接口速度，最高70MB/s读速度，15MB/s写入速度。

金士顿 2013-11-13
Transcend JetFlash 820G系列
Transcend JetFlash 820G系列

采用USB 3.0接口，提高8GB-64GB的存储容量，搭配香槟金金属外壳，圆弧收边线条为U盘增添优雅气息。

创见 2013-10-25
Transcend JetFlash 790系列
Transcend JetFlash 790系列

采用USB 3.0接口，提高8GB-128GB的存储容量，满足极速传输与储存各类数码影音大文件的需求。

创见 2013-10-24

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⊙01-14 10:21

1月13日，佰维存储发布公告，预计2025年度实现营业收入100亿元-120亿元，同比增长49.36%-79.23%；预计2025年度归母净利润8.5亿元-10亿元，同比增长427.19%-520.22%。

⊙01-13 17:15

希捷正式推出三款 32TB CMR 机械硬盘，覆盖企业级 Exos 银河、监控 SkyHawk 酷鹰 AI、NAS 存储 IronWolf 酷狼 Pro 三条产品线。以上三款产品均基于希捷Mozaic HAMR（热辅助磁记录）技术平台，并针对应用场景进行了优化。

⊙01-13 10:09

据韩媒报道，三星电子正在评估韩国SNS Tech公司提供的EUV空白掩模，目标是在第二季度投入使用。目前正处于掩模评估的最后阶段，目标是在本月或下个月完成评估。三星电子一直以来都依赖进口EUV光刻掩模版，对日本的依赖程度尤其高，Hoya和Asahi Glass占据了三星大部分的供应。

⊙01-12 10:17

通富微电公告，拟定增募资资金总额不超过44亿元，募集资金扣除发行费用后拟用于存储芯片封测产能提升项目、晶圆级封测产能提升项目、高性能计算及通信领域封测产能提升项目，分别投入募集资金8亿元、10.55亿元、6.95亿元和6.2亿元。此外计划将12.3亿元用于补充流动资金及偿还银行贷款。

⊙01-09 16:18

群联2025年12月合并营收87.12亿元（新台币，下同），环比增长24％，同比增长93％，刷新历史单月新高；全年合并营收达726.64亿元，同比增长23％，同创历史同期新高。群联表示，上月整体营运表现持续升温，控制芯片总出货量年增97％。其中，PCIe SSD控制芯片出货量同比增长15％，显示新一代高速接口渗透率持续扩大；NAND Bit Growth同比增长16％，凸显云端服务商拉货带动NAND需求走扬，并衍生近期NAND涨价与供给吃紧的市况。

⊙01-09 15:25

力成2025年12月营收72.96亿元（新台币，下同），环比增长2.19%，同比增长30.52%，创2022年8月以来单月高点；2025年第四季营收214.07亿元，环比增长7.21%，同比增长25.21%；累计2025年全年营收749.29亿元，同比增长2.20%，创下三年来新高纪录。

⊙01-08 18:12

高通首席执行官安蒙确认，高通确认正与三星电子就2纳米芯片代工合作进行洽谈，三星将有望时隔五年再次获得高通最先进芯片的代工订单，相关芯片设计工作已全部完成。首个合作项目可能是将目前骁龙8 Elite处理器（由台积电3纳米制程代工），转向三星2纳米制程生产。

⊙01-08 14:30

美光宣布，将于2026年1月16日正式在纽约州奥农达加县破土动工兴建其巨型晶圆厂。该项目耗资1000亿美元，是纽约州历史上规模最大的私人投资项目，建成后将成为全球最先进的存储器制造基地，美国最大的半导体工厂。

⊙01-08 10:49

美光宣布推出美光3610 NVMe™ SSD，是业界首款面向客户端计算的PCIe®5.0 QLC SSD，基于久经市场考验的美光G9 NAND 打造，顺序读取速率高达11,000 MB/s，顺序写入速率高达9,300 MB/s，专为主流台式机和笔记本电脑设计。

⊙01-08 10:05

三星电子公布其2025年第四季度的盈利预期，预计营收为93万亿韩元（约合641亿美元），环比增长8%，同比增长23%；营业利润为20万亿韩元（约合138亿美元），环比增长64%，同比增长208%，创历史新高。三星电子将于1月29日披露完整版业绩报告。

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