Transcend MicroSD Class10系列
Transcend MicroSD Class10系列

有4GB-32GB存储容量，提供每秒10MB以上的资料传输率，完全符合SD 3.0标准，并采用类闪存芯片制造。

创见 2013-07-10
Toshiba Micro SD UHS-I系列
Toshiba Micro SD UHS-I系列

存储容量从8GB到64GB，速度等级为Class 10，读取速度30MB/s，UHS速度等级Class1。

铠侠 2013-07-10
Premier Pro UHS-I U1系列
Premier Pro UHS-I U1系列

具备SDA 3.0最新规格UHS-I，主要用于智能型手机与功能机用户所需，存储容量16GB-32GB。

威刚 2013-07-10
Samsung Micro SD系列
Samsung Micro SD系列

存储容量从4GB-32GB不等，更具不同客户的存储需求，速度等级从Class 4-10，最高读取速度达70MB/s。

三星 2013-07-09
Toshiba Micro SD 系列
Toshiba Micro SD 系列

速度等级为Class 4，至少4MB/s的写入速度，容量从4GB-32GB，可满足音乐、视频、照片等存储需求。

铠侠 2013-07-09
Transcend SD Class 2系列
Transcend SD Class 2系列

支持SD 2.0规格，提供每秒2MB以上的资料传输率，还提供防写保护开关，可避免资料不慎删除的风险。

创见 2013-07-09
Samsung SD系列
Samsung SD系列

存储容量从4GB-32GB不等，根据不同客户的存储需求，速度等级从Class 4-10，最高读取速度达80MB/s。

三星 2013-07-09
Adata Premier UHS-I U1系列
Adata Premier UHS-I U1系列

符合UHS-I Class10规格，存储容量从8GB-32GB，最高读写速度可分别达30/s、10MB/s，而且抗寒、耐高温。

威刚 2013-07-02
Adata MicroSDHC Class 4系列
Adata MicroSDHC Class 4系列

最高有32GB存储容量，提供每秒4MB 以上的资料传输率，主要用于智能型手机和功能机图片、音乐等存储。

威刚 2013-05-22
innodisk iCF 1SE存储卡
innodisk iCF 1SE存储卡

采用SLC NAND，PATA接口，提供512MB~8GB容量选择，顺序读写最大40/30MB/秒。

宜鼎国际 2013-04-12
innodisk iCF 1ME存储卡
innodisk iCF 1ME存储卡

采用MLC NAND，PATA接口，提供8~256GB容量选择，顺序读写最大110/110MB/秒。

宜鼎国际 2013-04-12
Sandisk 高速MicroSD UHS-I系列
Sandisk 高速MicroSD UHS-I系列

根据客户的不同需求，提供8GB-64GB不等容量产品，输速度高达30MB/s，Class 10等级速度可完美的视频捕捉。

闪迪 2013-03-12
Sandisk Micro SD系列
Sandisk Micro SD系列

存储容量从2GB-32 GB不等，速度等级为Class 4，具有防水、防冲击并防 X 射线的功能。

闪迪 2013-01-15
BIWIN CF存储卡FG001
BIWIN CF存储卡FG001

BIWIN CF存储卡专为对速度、存储容量、性能和可靠性有严格要求的照片和视频专业人士设计和量身定制。

佰维存储 2012-06-20
innodisk MicroSD卡2.0
innodisk MicroSD卡2.0

采用SLC NAND，符合SD2.0规范，提供1-4GB容量选择。工作温度：0°C~ + 70°C，-40°C~ + 85°C。

宜鼎国际 2012-01-10

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⊙01-14 10:21

1月13日，佰维存储发布公告，预计2025年度实现营业收入100亿元-120亿元，同比增长49.36%-79.23%；预计2025年度归母净利润8.5亿元-10亿元，同比增长427.19%-520.22%。

⊙01-13 17:15

希捷正式推出三款 32TB CMR 机械硬盘，覆盖企业级 Exos 银河、监控 SkyHawk 酷鹰 AI、NAS 存储 IronWolf 酷狼 Pro 三条产品线。以上三款产品均基于希捷Mozaic HAMR（热辅助磁记录）技术平台，并针对应用场景进行了优化。

⊙01-13 10:09

据韩媒报道，三星电子正在评估韩国SNS Tech公司提供的EUV空白掩模，目标是在第二季度投入使用。目前正处于掩模评估的最后阶段，目标是在本月或下个月完成评估。三星电子一直以来都依赖进口EUV光刻掩模版，对日本的依赖程度尤其高，Hoya和Asahi Glass占据了三星大部分的供应。

⊙01-12 10:17

通富微电公告，拟定增募资资金总额不超过44亿元，募集资金扣除发行费用后拟用于存储芯片封测产能提升项目、晶圆级封测产能提升项目、高性能计算及通信领域封测产能提升项目，分别投入募集资金8亿元、10.55亿元、6.95亿元和6.2亿元。此外计划将12.3亿元用于补充流动资金及偿还银行贷款。

⊙01-09 16:18

群联2025年12月合并营收87.12亿元（新台币，下同），环比增长24％，同比增长93％，刷新历史单月新高；全年合并营收达726.64亿元，同比增长23％，同创历史同期新高。群联表示，上月整体营运表现持续升温，控制芯片总出货量年增97％。其中，PCIe SSD控制芯片出货量同比增长15％，显示新一代高速接口渗透率持续扩大；NAND Bit Growth同比增长16％，凸显云端服务商拉货带动NAND需求走扬，并衍生近期NAND涨价与供给吃紧的市况。

⊙01-09 15:25

力成2025年12月营收72.96亿元（新台币，下同），环比增长2.19%，同比增长30.52%，创2022年8月以来单月高点；2025年第四季营收214.07亿元，环比增长7.21%，同比增长25.21%；累计2025年全年营收749.29亿元，同比增长2.20%，创下三年来新高纪录。

⊙01-08 18:12

高通首席执行官安蒙确认，高通确认正与三星电子就2纳米芯片代工合作进行洽谈，三星将有望时隔五年再次获得高通最先进芯片的代工订单，相关芯片设计工作已全部完成。首个合作项目可能是将目前骁龙8 Elite处理器（由台积电3纳米制程代工），转向三星2纳米制程生产。

⊙01-08 14:30

美光宣布，将于2026年1月16日正式在纽约州奥农达加县破土动工兴建其巨型晶圆厂。该项目耗资1000亿美元，是纽约州历史上规模最大的私人投资项目，建成后将成为全球最先进的存储器制造基地，美国最大的半导体工厂。

⊙01-08 10:49

美光宣布推出美光3610 NVMe™ SSD，是业界首款面向客户端计算的PCIe®5.0 QLC SSD，基于久经市场考验的美光G9 NAND 打造，顺序读取速率高达11,000 MB/s，顺序写入速率高达9,300 MB/s，专为主流台式机和笔记本电脑设计。

⊙01-08 10:05

三星电子公布其2025年第四季度的盈利预期，预计营收为93万亿韩元（约合641亿美元），环比增长8%，同比增长23%；营业利润为20万亿韩元（约合138亿美元），环比增长64%，同比增长208%，创历史新高。三星电子将于1月29日披露完整版业绩报告。

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