Samsung Micro SD系列

存储容量从4GB-32GB不等，更具不同客户的存储需求，速度等级从Class 4-10，最高读取速度达70MB/s。

产品分类：闪存卡 品牌：三星
应用领域： 移动存储 平板电脑 超极本 智能手机 功能手机
产品白皮书 发布于：2013-07-09
Samsung Micro SD系列 共13个产品
型号 容量 最高速度 速度等级 重量 尺寸 工作电压 工作温度 存储温度 保修期 版本类型
MB-MS4GB 4GB 24MB/秒 Class 4 0.5g 15mmx11mmx1mm 2.7V~3.6V -25°C - 85°C -40°C - 85°C 5年 标准版
MB-MS8GB/CN 8GB 24MB/秒 Class 4 0.5g 15mmx11mmx1mm 2.7V~3.6V -25°C - 85°C -40°C - 85°C 5年 标准版
MB-MSAGB 16GB 24MB/秒 Class 6 0.5g 15mmx11mmx1mm 2.7V~3.6V -25°C - 85°C -40°C - 85°C 5年 标准版
MB-MSBGB 32GB 24MB/秒 Class 6 0.5g 15mmx11mmx1mm 2.7V~3.6V -25°C - 85°C -40°C - 85°C 5年 标准版
MB-MG8GB 8GB 读70MB/秒，写20MB/秒 Class 10 0.5g 15mmx11mmx1mm 2.7V~3.6V -25°C - 85°C -40°C - 85°C 10年 专业版
MB-MGAGB 16GB 读70MB/秒，写20MB/秒 Class 10 0.5g 15mmx11mmx1mm 2.7V~3.6V -25°C - 85°C -40°C - 85°C 10年 专业版
MB-MGBGB 32GB 读70MB/秒，写20MB/秒 Class 10 0.5g 15mmx11mmx1mm 2.7V~3.6V -25°C - 85°C -40°C - 85°C 10年 专业版
MB-MGCGB 64GB 读70MB/秒，写20MB/秒 Class 10 0.5g 15mmx11mmx1mm 2.7V~3.6V -25°C - 85°C -40°C - 85°C 10年 专业版
MB-MP8GB 8GB 48MB/秒 Class 4 0.5g 15mmx11mmx1mm 2.7V~3.6V -25°C - 85°C -40°C - 85°C 10年 升级版
MB-MPAGB 16GB 48MB/秒 Class 6 0.5g 15mmx11mmx1mm 2.7V~3.6V -25°C - 85°C -40°C - 85°C 10年 升级版
MB-MPAGC 16GB 48MB/秒 Class 10 0.5g 15mmx11mmx1mm 2.7V~3.6V -25°C - 85°C -40°C - 85°C 10年 升级版
MB-MPBGB 32GB 48MB/秒 Class 6 0.5g 15mmx11mmx1mm 2.7V~3.6V -25°C - 85°C -40°C - 85°C 10年 升级版
MB-MPBGC 32GB 48MB/秒 Class 10 0.5g 15mmx11mmx1mm 2.7V~3.6V -25°C - 85°C -40°C - 85°C 10年 升级版

产品概览

满足各种存储需求

三星全新存储卡产品线包括标准版、升级版以及专业版本的所有Micro SD卡，能够满足普通用户和专业用户的一系列存储需求。

满足大容量存储需求

三星全系列的存储卡，让您能够拍摄更多照片和视频，为手机下载更多多媒体文件和应用，无需担心速度和容量不够。三星为寻求容量和速度的用户提供大容量高速度的Micro SD卡（64GB）。

超高速UHS-1接口提供卓越性能

三星所有产品线的Micro SD卡均以高品质NAND闪存为特色，支持UHS-1接口（升级版和专业版），速度超快，读取速度高达70MB/s，写入速度高达20MB/s，是高端智能手机，数码相机，摄像机和平板电脑用户的理想选择。

5 重防护功能

• 保护您的宝贵数据

• 防水:在海水中浸泡 24 小时仍可使用

• 防磁:可抵挡 10,000 高斯的磁力

• 防震:能承受 1.6 吨汽车(SDHC，SDXC)的碾压

• 防极端温度:可耐受工作温度为 - 25 ~ 85 ºC

• 防 X 射线:保护数据不被机场 X 线检测仪破坏

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⊙01-13 17:15

希捷正式推出三款 32TB CMR 机械硬盘，覆盖企业级 Exos 银河、监控 SkyHawk 酷鹰 AI、NAS 存储 IronWolf 酷狼 Pro 三条产品线。以上三款产品均基于希捷Mozaic HAMR（热辅助磁记录）技术平台，并针对应用场景进行了优化。

⊙01-13 10:09

据韩媒报道，三星电子正在评估韩国SNS Tech公司提供的EUV空白掩模，目标是在第二季度投入使用。目前正处于掩模评估的最后阶段，目标是在本月或下个月完成评估。三星电子一直以来都依赖进口EUV光刻掩模版，对日本的依赖程度尤其高，Hoya和Asahi Glass占据了三星大部分的供应。

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⊙01-09 16:18

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⊙01-09 15:25

力成2025年12月营收72.96亿元（新台币，下同），环比增长2.19%，同比增长30.52%，创2022年8月以来单月高点；2025年第四季营收214.07亿元，环比增长7.21%，同比增长25.21%；累计2025年全年营收749.29亿元，同比增长2.20%，创下三年来新高纪录。

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高通首席执行官安蒙确认，高通确认正与三星电子就2纳米芯片代工合作进行洽谈，三星将有望时隔五年再次获得高通最先进芯片的代工订单，相关芯片设计工作已全部完成。首个合作项目可能是将目前骁龙8 Elite处理器（由台积电3纳米制程代工），转向三星2纳米制程生产。

⊙01-08 14:30

美光宣布，将于2026年1月16日正式在纽约州奥农达加县破土动工兴建其巨型晶圆厂。该项目耗资1000亿美元，是纽约州历史上规模最大的私人投资项目，建成后将成为全球最先进的存储器制造基地，美国最大的半导体工厂。

⊙01-08 10:49

美光宣布推出美光3610 NVMe™ SSD，是业界首款面向客户端计算的PCIe®5.0 QLC SSD，基于久经市场考验的美光G9 NAND 打造，顺序读取速率高达11,000 MB/s，顺序写入速率高达9,300 MB/s，专为主流台式机和笔记本电脑设计。

⊙01-08 10:05

三星电子公布其2025年第四季度的盈利预期，预计营收为93万亿韩元（约合641亿美元），环比增长8%，同比增长23%；营业利润为20万亿韩元（约合138亿美元），环比增长64%，同比增长208%，创历史新高。三星电子将于1月29日披露完整版业绩报告。

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