闪迪宣布，已与SK海力士签署一项谅解备忘录，双方将共同制定高带宽闪存 (High Bandwidth Flash，HBF) 规范。通过此次合作，双方希望标准化规范、定义技术要求，并探索构建HBF的技术生态系统。

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华邦电子董事会已通过投资40～50亿元在台中厂增设Flash产能，NOR Flash与SLC NAND年产能将提升超20%。其中SLC NAND因受eMMC产能排挤，市场供应紧张，未来成长空间可期。

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据闪迪介绍，UltraQLC™平台的关键特性之一是QLC直接写入技术，通过在首次写入时利用断电保护安全机制，消除对SLC缓存的依赖。此外，还可通过动态频率调节功能，在同等功耗水平下实现约10%的性能提升。

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N3X系列采用英韧科技自研PCIe 5.0主控和高性能KIOXIA XL-FLASH——这是一种介于HBM/DDR和FLASH之间的新型存储介质，旨在加速未来的数据处理。这一组合能够有效支撑边缘节点进行高密度数据处理，满足日益增长的实时AI推理需求。

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公告显示，面临此次解禁，江波龙控股股东、实际控制人、董事长兼总经理蔡华波先生，实际控制人蔡丽江女士，董事王景阳先生自愿承诺自2025年8月5日（即首发前限售股解禁当天）起的12个月内，不以任何方式主动减持本人直接持有的公司股份。

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稼动率方面，力成第二季封装稼动率约80%、测试约70%，预估第3季封装稼动率可提升至85%，测试维持70%。其中，DRAM受惠存储外溢订单，营收将呈现温和成长；NAND也因手机、PC、服务器所需的存储需求升温，呈现明显成长，且动能将延续至第4季。整体而言， 力成预估今年下半年可呈现逐季成长。

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按产品线分，该财季HDD营收22.81亿美元，环比增长14%，同比增长32%；系统、SSD及其他营收1.63亿美元，环比增长3%，同比增长2%。

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佰维存储再度入选“#2025最具价值科创板上市公司”。

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从P5的磁吸革命到H1的功能整合，再到P6的速度飞跃，aigo存储的创新轨迹勾勒出行业转型的大方向：存储设备正从被动的数据容器，进化为主动的生产力工具。

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群联已开始调整出货节奏，将供货优先顺序给长期合作客户，避免因短期集中出货而导致9-11月无货可交。

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江波龙NFC PSSD技术已经率先在旗下国际高端消费品牌Lexar实现产品化并将逐步推向市场，外观延续雷克沙家族设计语言，支持Windows、macOS、Android、iOS全平台，未来有望在主要电商及线下零售渠道陆续与消费者见面。

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闪迪提出的HBF（高带宽闪存）是一种专为 AI 领域设计的新型存储器架构，结合了3D NAND闪存和高带宽存储器（HBM）的特性，旨在满足大规模 AI 模型的存储和推理需求。

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2025年6月底，aigo宣布其U330高速U盘全球累计销量突破1000万，成为该品牌首款达到千万级销量的存储产品。

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全新第九代 BiCS FLASH™ 512Gb TLC 采用基于第五代 BiCS FLASH™ 技术和先进CMOS工艺的 120 层堆叠工艺开发而成，与铠侠现有的512Gb BiCS FLASH™ 产品相比，性能有显著提升。

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作为AMD官方合作伙伴，江波龙企业级BG系列 DDR5 RDIMM率先通过该平台严苛兼容性测试，并被指定为官方工作站内存配置。

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