对于第2季度营收预估，力成此前目标季成长中个位数百分比（约5-6%），有机会挑战高个位数百分比（约7-9%），下半年新产品逐渐贡献营收，看好AI服务器应用强劲。

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慧荣科技推出SM2322主控芯片SM2322，支持QLC NAND，提供高达8TB的容量和20Gbps的数据传输速度，适用于外置便携式SSD解决方案，已向多家客户提供样品，将于今年中期投入量产。

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美光CZ120内存扩展模块已通过OEM渠道批量供应，未来几个季度供应量将继续增加。

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随着DRAM微细化的持续发展，SK海力士、三星电子等企业正积极开发并应用新型材料。特别是对于下一代光刻胶（Photoresist, PR）之一的金属氧化物光刻胶（Metal Oxide Resist, MOR）表现出了浓厚的兴趣。SK海力士在下一代DRAM量产中采用了极紫外光（EUV）用MOR，三星电子也在考虑应用EUV用MOR。DRAM量产中使用MOR尚属首次。

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南亚科技表示，从市场总需求位元数来看，HBM比例低于5%，较不适合南亚科技开发竞争。但对于HBM带动存储市况及价格成长的现象，李培英表示乐观其成，并认为将持续到明年。

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据韩媒报道，三星与KAIST等研究机构合作，正在加速研发一种名为Hafnia Ferroelectrics的材料，并考虑以此材料实现超高层数3D NAND堆叠。

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美光近日宣布了一项重大投资计划，将在日本广岛县建设一座新的DRAM芯片制造工厂。根据日媒报导，这座新厂预计最快将于2027年底开始运营。

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苟嘉章尤其看好大陆AI手机的发展进程将会领先全球，强调其生成式AI手机正在打造自己的云端生态系统，更跨足车联网系统，使手机成为很重要的载体，在2024年下半年到2025年就会看到更多新兴应用。

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美国得克萨斯州东区地方法院近日判决美光在同美国存储企业Netlist的专利诉讼中败诉，整体赔偿金额达4.45亿美元。陪审员认定美光侵犯了Netlist的两项存储领域专利，分别需要支付4.25亿美元和2000万美元的补偿。此外，Netlist还与其他存储巨头产生过专利纠纷。

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深圳佰维存储科技股份有限公司宣布从5月25日起启用全新的品牌标识。

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美光高层预测，HBM业务近期的年复合增长率有望高达50%，从8层堆叠升级到12层堆叠的HBM，有望推升2025年度营收。

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SK海力士母公司SK集团会长崔泰源透露，公司正在研究在日本和美国等国家建设高带宽存储（HBM）工厂的可能性，以应对人工智能（AI）对高性能芯片的激增需求。同时，SK海力士强调清洁能源采购在选址过程中的重要性，并计划加强与日本芯片制造商的合作。

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CFX730与CFX610符合CFast 2.0规范，采用112层3D NAND Flash与SATA III 6Gb/s传输接口，提供高达1TB的存储容量，提供宽温规格（-40°C~85°C），能抵御严苛的运作环境。

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三星表示，其与全球各合作伙伴的 HBM 供应测试正在“顺利”进展。

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威刚强调，因其在去年存储价格相对低点时精准建置库存，将持续发挥低价库存利益，第二季毛利率可望续写新高。

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