今日,长江存储晶栈®(Xtacking)3.0荣获2022年闪存峰会(FMS 2022)“异构存储集成”类别下的“最具创新存储技术奖”,再度收获全球闪存行业对其在三维异构集成领域持续探索的认可和肯定。
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近日南亚科技最新公告称,公司7月营收为43.96亿新台币,环比减少16.02%、同比减少44.7%,单月营收创近两年半来的低点。南亚科技累计今年前七月营收为423.73亿元,同比减少12.30%。
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铠侠宣布推出第二代基于BiCS 3D闪存技术的存储级内存(SCM)XL-FLASH™,可显着降低平均bit成本,同时提供高性能、低延迟存储性能。预计该产品将在今年11月开始送样出货,2023 年开始量产。
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三星推出了一系列新型存储技术,分别在数据移动、数据存储、数据处理和数据管理四个方面推动大数据时代的技术进步。
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理想L9跨域控制单元还搭载了美光的NOR闪存和eMMC技术,以确保整体系统的稳健性,并缩短系统启动时间。
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Solidigm P41 Plus 采用144层3D NAND,支持M.2 2280的外形规格,并为消费者提供512GB、1TB和2TB三种容量选择。同时,这款产品具备广泛的设计灵活性,将会向OEM厂商提供2230和2242两种尺寸规格。
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NAND闪存主控芯片领导厂商慧荣科技宣布将于8月2日至4日在美国加州圣塔克拉拉举行的闪存峰会展示一系列专为数据中心、笔记本电脑、车载和工控应用打造的SSD主控芯片及SSD解决方案。
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X1可客制化企业级SSD平台以更少的功率消耗提供更多的运算效能。在使用相同功率的情况下,与现有市场竞争对手相比,X1的数据读取效能增加了30%以上,是一款突破效能瓶颈,并且提供高服务质量 (Quality of Service; QoS) 的高性价比的企业级PCIe Gen4 SSD解决方案。
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238层NAND闪存成功堆栈更高层数的同时,实现了业界最小的面积。新产品每单位面积具备更高的密度,借其更小的面积能够在相同大小的硅晶片生产出更多的芯片,因此相比176层NAND闪存其生产效率也提高了34%。
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“暑气”恰浓,佰维存储面向10-18岁青少年,推出半导体封测“Factory Tour”开放日。8月6日,佰维存储诚邀您和您的飞扬少年,一同揭秘“存储芯片”诞生背后的故事。
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此次亮相,佰维将全面展示旗下智能终端存储、工业级存储和消费级存储产品,并向客户分享存储技术创新与成功应用案例。
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SK海力士宣布已开发出首款基于DDR5 DRAM的CXL(Compute Express Link)内存样品,加强其在下一代内存解决方案市场的影响力。样品的外形尺寸为EDSFF (Enterprise & Data Center Standard Form Factor) E3.S,支持PCIe 5.0 x8 Lane,使用 DDR5 标准 DRAM,并配备 CXL 控制器。
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MonTitan™ 是一款高性能、用户可编程的 PCIe Gen5 平台,采用慧荣科技的第三代 NVMe 主控芯片系列 SM8366,支持 OCP 数据中心 NVMe SSD 和 NVMe 2.0 规范。
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就 NAND 市况来看,潘健成认为,随着消费力道下滑、通膨疑虑升温,库存堆积,NAND 原厂为积极出货变现,将降价求售,预期第四季原厂甚至可能走向减产,届时市场可能快速修正,明年上半年供需也会趋于平衡,市况回归正常水平,不会跟今年上半年差太多。
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