据韩媒THE ELEC报道,济州半导体副总裁黄柱元近日会见记者时表示,公司将在SK海力士的晶圆厂生产LPDDR5,作为LPDDR4X的后续产品。LPDDR5量产目标时间为2030年,具体规模尚未最终确定。据报道,济州半导体已与SK海力士签署合同,将在未来几年使用其工厂,生产基地据推测位于中国无锡。
据外媒报道,OpenAI去年共支出340亿美元,其中190亿美元用于研发,60亿美元用于销售和市场营销。OpenAI去年销售额为130亿美元,其支出约为年收入的2.6倍。此外,OpenAI去年的净亏损为390亿美元,较前一年的50亿美元大幅增加。不过,报道称,如果剔除过去公司治理重组期间产生的非现金会计成本和股票补偿支出,实际亏损约为80亿美元。目前,公司正准备进行IPO,目标估值超过1万亿美元。
据韩媒THE ELEC援引业内人士消息称,ENF Technology已实现半导体制造过程中使用的氢氟酸的本地化生产,并于本月初完成产品质量认证,向SK海力士交付了首批半导体级氢氟酸(HF)。目前,该公司正在通过将其应用于生产流程来验证其稳定性。经过一到两周的初期运行后,从本月底开始,供应量将扩大到包括DRAM在内的主要生产线。
据外媒报道,英特尔宣布其18A制程节点的升级版本“18A-P”,已正式进入风险生产(risk production)阶段。英特尔18A-P制程基于去年第四季度量产的18A,针对数据中心CPU以及人工智能和高性能计算 (HPC) 半导体的生产进行了优化。与18A相比,18A-P在相同功耗下性能提升高达9% ;在相同性能水平下,功耗最多可降低18%。此外,英特尔计划利用18A-P生产“Diamond Rapids” CPU 芯片,预计将于明年发布。
当地时间6月16日,美股三大股指涨跌互现。截至收盘,道琼斯工业指数涨0.64%,报51999.67点,创历史新高;标普500指数跌0.57%,报7511.35点;纳斯达克综合指数跌1.15%,报26376.34点。其中,大型科技股表现分化,AMD跌超7%,高通跌超3%,英伟达跌超2%,微软跌超1%,亚马逊跌0.01%,谷歌A、谷歌C均涨超1%,苹果涨0.95%;存储板块涨跌不一,西部数据涨超4%,希捷涨超1%,美光跌超6%,闪迪跌超5%。
随着基于LPDDR5X的服务器CPU逐渐量产并大力商用推广下,LP5X服务器市场应用进一步扩大,而服务器市场对高频率LP5X需求显著增长驱动下,海外原厂供应更多的转向服务器市场的同时,面向手机、PC市场的供应快速收紧。部分存在供应缺口的消费类客户向原厂争取包括次级规格资源在内的供应支持,分货有限下令海外原厂LP5X资源持续缓慢走高且居高不下,存储厂商新采购成本不断被刷新。而LP5X更多的应用于高定价的高端设备,相对来说该客户群具有更高的价格接受度。而LP4X虽也饱受高昂的资源成本压力,但易受低端方案冲击且存储厂商间竞争出货,导致LP4X拉涨力度不及LP5X,由此,同容量的LP4X与LP5X之间价差正被逐渐拉开。
LPDDR:LPDDR4X 64Gb 涨 1% 至 $101.00,LPDDR4X 48Gb 涨 1.33% 至 $76.00,LPDDR4X 32Gb 涨 5.45% 至 $58.00,LPDDR4X 16Gb 涨 4.84% 至 $32.50;LPDDR5X 128Gb 涨 1.81% 至 $225.00,LPDDR5X 96Gb 涨 1.82% 至 $168.00,LPDDR5X 64Gb 涨 5.00% 至 $105.00,LPDDR5X 48Gb 涨 6.58% 至 $81.00,LPDDR5X 32Gb 涨 7.41% 至 $58.00。
经历近一个季度的震荡调整后,近期行业DDR5次级资源价格整体趋稳甚至个别呈现微涨,不过上游资源价格之间仍存在一定的价差,个别高价DDR5次级颗粒ASP已超过1.60美金/Gb,尽管部分存储厂商拉高相应成品报价,但现阶段大陆市场调涨仍十分吃力。值得注意的是,近期出现个别PC终端向原厂锁定一定规模的DDR5次级颗粒供应,预计下半年该资源市场流通将显著减少,行业存储厂商获取供应支持也将更加艰难。本周行业市场SSD及内存条维持上周报价。
尽管渠道市场尤其是零售端市场需求持续低迷,继部分渠道品牌贸易零售价逐渐企稳缓涨仅一周时间后,近日再次走回震荡下修通道。但由于部分渠道DDR5颗粒供应紧缺,且存储厂商拥有少量渠道整机客户的订单支持,本周渠道DDR5内存条继续小幅上涨,渠道DDR4内存条、SSD价格维持不变。
内存条(渠道市场):DDR5 UDIMM 8GB 5600 涨 2.44% 至 $84.00,DDR5 UDIMM 8GB 6000 涨 2.30% 至 $89.00,DDR5 UDIMM 16GB 5600 涨 0.67% 至 $150.00,DDR5 UDIMM 16GB 6000 涨 1.31% 至 $155.00,DDR5 UDIMM 32GB 5600 涨 0.78% 至 $257.00,DDR5 UDIMM 32GB 6000 涨 0.75% 至 $267.00。
据媒体报道,华硕正式推出ExpertCenter Pro ET900N G3工作站,目前已在多家零售商上架,最低标价99999美元。ET900N G3搭载NVIDIA GB300 Grace Blackwell Ultra超级芯片,将72核ARM Neoverse V2处理器与Blackwell Ultra GPU封装在一起。CPU端配备496GB LPDDR5X内存(带宽396GB/s),GPU端配备252GB HBM3e显存(带宽7.1TB/s),两者合计内存容量达748GB,可合并处理更大的AI模型。
据韩媒报道,三星电子正在开发和运营“数据共享生态平台(DSEP)”。目前,参与该平台的公司数量已超过60家,主要为设备供应商,并且合作伙伴数量还在持续增长。该平台用于与材料、零部件和设备领域的供应商实时共享半导体工艺数据,三星将其扩展为基于人工智能的工厂运营系统,最终为无人晶圆厂的建设奠定基础。
据业界消息称,DeepSeek 以非寻常的交易结构,完成创纪录的超 70 亿美元融资,估值超过 500 亿美元。这是国内AI 行业迄今规模最大的单轮融资。消息称,此轮融资采用了一种不寻常的结构,赋予投资者经济权益,但没有投票权,腾讯控股、宁德时代、京东、网易和 IDG 资本参与了此轮融资。投资者还将面临五年的锁定期,并且预计不会获得董事会席位。
铠侠今日在官网宣布其EXCERIA G3 SSD系列推出4TB型号,丰富了PCIe 5.0 产品线的容量选择,预计将于2026年7月上旬开始发售。此次新增的4TB型号采用基于其第八代BiCS FLASH™ 3D闪存技术的QLC存储器构建,为需要在AI应用和游戏主机环境中配备入门级SSD的用户提供了更多选择。EXCERIA G3 SSD系列的顺序读取速度高达10,000MB/s,顺序写入速度高达9,600MB/s。
应用材料推出两款面向“3D芯片微缩技术”的新设备,旨在解决尖端半导体制造中新兴的挑战:在日益深窄的3D结构中实现精密加工。应用材料表示,这两款设备将帮助芯片制造商扩展逻辑和存储器的尺寸,从而为下一代AI芯片带来更高的性能、更佳的能效和更高的良率。
据外媒报道,高通正在洽谈收购AI芯片初创公司Tenstorrent,交易估值在80亿至100亿美元之间。报道称,谈判仍在进行中,价格可能发生变化,谈判也可能破裂。高通近年来日益寻求减少对周期性手机市场的依赖,转而扩展至数据中心处理器和自动驾驶芯片等高增长领域。Tenstorrent成立于2016年,由前苹果芯片设计师Jim Keller领导,他也曾负责特斯拉自动驾驶芯片的设计工作。该公司开发用于训练AI模型和运行AI应用的加速器。
IDC最新数据显示,2026年第一季度全球智能眼镜市场出货量356.6万台,同比增长130.1%。其中全球音频和音频拍摄眼镜市场出货量224.8万台,同比增长167.4%;AR/VR市场出货131.8万台,同比增长85.9%。
理想汽车在LivisDay发布会上宣布推出“全球首款动态数据流AI芯片”——理想马赫M100。马赫M100 SoC采用先进的5nm车规级工艺,拥有24个2.3GHz Arm Cortex-A78AE核心,单颗算力可达1280 TOPS,号称算力利用率高达82%。内存系统方面,支持8个LPDDR5X子系统,带宽高达273GB/s。目前新款理想L9 Livis已搭载马赫M100双芯片,总算力2560 TOPS,支持舱驾一体。据悉,马赫M100将设有标准版和Ultra版本,两者区别暂未披露。
据业界消息,英特尔和英伟达联合开发的Serpent Lake Soc芯片预计将于2028年第一季度亮相,如果计划不变,在CES 2028上即可看到正式发布。Serpent Lake是英特尔Titan Lake处理器中的一个特殊版本,采用类似AMD Halo的设计,将x86 CPU和英伟达的RTX GPU封装在同一芯片内。目前暂无关于Serpent的具体规格,但可以确定GPU部分基于英伟达的RTX,考虑到2028年的时间节点,大概率搭载的是下一代Rubin架构,该架构采用第三代Transformer引擎,性能较前代提升可达50%。
小米 REDMI 手机官宣,REDMI K90 至尊版本月登场。小米集团合伙人、总裁、手机部总裁、小米品牌总经理卢伟冰表示,2026 年行业普涨,2-3K 档性能机稀缺。我们深知行业的无奈,但不会辜负大家的期待,K90 至尊版的使命就是:守住 3K 价位段,为「3K 档游戏性能自由」而战!
AMD宣布收购内存优化技术公司MEXT,目标是缓解数据中心日益突出的内存瓶颈。MEXT公司主要技术优势在于把闪存扩展为应用可用的“近内存层”,通过内存分层方案,将不常访问的数据从DRAM转移到NAND闪存。由于闪存单位容量成本远低于DRAM,这种架构能在不大幅增加主内存投入的前提下,扩大可用内存池规模。
据韩媒报道,FADU向海外NAND闪存制造商供应eSSD主控的合同完成日期已从6月12日更改为7月17日。该合同签于1月13日,金额为1387万美元。FADU相关人员表示,部分货物的交付时间表是应客户要求调整的,并补充说明这种情况偶尔会发生。据悉,本次交易客户是闪迪,FADU是闪迪的eSSD主控供应商。据报道,采用FADU控制器的eSSD被供应给超大规模数据中心客户。