挑战三星 东芝动工建NAND Flash新厂 产能增2成

发布于：2013-08-26 来源：中国闪存市场

全球第2大NAND存储器(Flash Memory)厂商东芝(Toshiba)于23日举行了动工仪式，正式着手建NAND Flash新厂。

8月需求增温 创见Q3营收估季增1成

发布于：2013-08-26 来源：中国闪存市场

创见信息(2451)上半年表现稳健成长，公司看好8月起需求增温，法人估第三季营收可比第二季增逾一成。

力成Q4出货联发科 营运补

发布于：2013-08-22 来源：中国闪存市场

力成（6239）冲刺逻辑封测布局有限，法人透露，力成已成功取得联发科核心手机芯片封测订单，预定第4季正式出货，将推升力成营收逐季成长，同时逻辑产品营收比占拉升，与DRAM、Flash形成公司营运三大支柱。

SK海力士落户重庆 注册资本1.5亿美元

发布于：2013-08-16 来源：中国闪存市场

SK海力士半导体芯片封装项目落户重庆西永微电子园区，已于7月完成注册登记，注册资本1.5亿美元。

Micron 16nm NAND获闪存峰会肯定

发布于：2013-08-16 来源：中国闪存市场

Micron 于 Flash Memory Summit 2013 ( 闪存峰会 2013) 上发表 16nm NAND 工艺技术，实现了现时 NAND 业界中最小的 128Gb MLC NAND 闪存设备。

Skyera 携手东芝优化企业级固态存储

发布于：2013-08-15 来源：中国闪存市场

由一支在固态、存储和网络领域拥有非凡背景的高管与工程团队创立，该公司昨日宣布与技术领导者东芝美国电子元件公司开展合作，后者致力于为执行关键任务的企业存储应用提供先进的NAND存储架构。

擎泰Q2每股税后亏1.91元 上半年每股亏4.9元

发布于：2013-08-14 来源：中国闪存市场

FLASH控制IC擎泰(3555-TW)今(14)日公布第2季财报，税后净损为1.2亿元，较第1季亏损金额减少，每股税后亏损1.91元，上半年税后亏损3.1亿元，每股税后亏损4.9元。

SanDisk发布X210 SSD

发布于：2013-08-14 来源：中国闪存市场

今天SanDisk正式发布了X210系列SSD，采用了19nm制程的NAND闪存芯片，主控应该是来自Marvell，但具体型号不详，采用SATA 6Gbps接口设计，厚度为7mm支持nCache技术。

三星推出面向服务器的3D V-NAND SSD 性能提升20%+

发布于：2013-08-14 来源：中国闪存市场

在今年的闪存峰会(2013 Flash Memory Summit)上，三星推出了世界首款基于3D V-NAND技术的固态硬盘驱动器产品。由于采用了新的制造技术，新产品在性能增长20%+的同时、功耗却减少了40%+。三星表示，该公司在本月早...

美光宣布裁员 削减成本 提高效率

发布于：2013-08-14 来源：中国闪存市场

美国最大计算机内存芯片制造商美光科技（Micron Technology US-MU）表示，将裁汰5%以下的员工，以削减成本，提高效率。